电子工程专辑
UBM China

东芝发布全球首款256Gb、48层3D堆叠式结构闪存

上网日期: 2015年08月19日 ?? 我来评论 字号:放大 | 缩小 分享到:sina weibo tencent weibo tencent weibo


打开微信“扫一扫”,打开网页后点击屏幕右上角分享按钮

1.扫描左侧二维码
2.点击右上角的分享按钮
3.选择分享给朋友

关键字:3D堆叠式结构闪存? 三阶存储单元? TLC技术? 堆叠工艺?

东芝推出全球首款48层3D堆叠式结构闪存,该闪存容量达到256Gb(32GB),同时采用了行业领先的三阶存储单元(TLC)技术。这款全新闪存适用于各种产品应用,包括消费级固态硬盘(SSD)、智能手机、平板电脑和内存卡以及面向数据中心的企业级SSD。据悉,样品将于9月开始发货。

东芝发布全球首款256Gb、48层3D堆叠式结构闪存(电子工程专辑)
东芝全球首款256Gb、48层堆叠闪存BiCS FLASH

东芝BiCS FLASHTM采用目前世界最尖端的48层堆叠工艺,超越主流2D NAND闪存的容量,同时提高了可写入/擦除次数及可靠性,并提高了写入速度。

自2007年在全球首次推出了3D堆叠式结构闪存以来,东芝一直致力于优化大批量生产的研发。为更好地满足快速增长的闪存市场需求,东芝将瞄准大容量、小型化的应用领域,积极推动3D堆叠式结构闪存,推出SSD等产品组合。

东芝于1987年在世界上最早开发出NAND闪存,作为闪存世界的缔造者,一直秉承专业的精神,为消费者提供高速、优质的专业闪存体验。目前,这一产品在东芝四日市工厂开始生产,预计于2016年上半年完工的新工厂也将生产该产品。

注:

3D堆叠式结构闪存:一种在硅基板上垂直堆叠闪存存储单元的结构,相比平面NAND闪存(存储单元位于硅基板上),极大地提高了密度。

如您对闪存技术感兴趣,欢迎参加2015年IIC-China秋季展(8月31日~9月3日,深圳会展中心3号馆)。提前注册抢座,请点击或扫描下面的二维码:

2015年IICChin秋季展《电子工程专辑》







我来评论 - 东芝发布全球首款256Gb、48层3D堆叠式结构闪存
评论:
*? 您还能输入[0]字
分享到: 新浪微博 qq空间
验证码:
????????????????
?

关注电子工程专辑微信
扫描以下二维码或添加微信号“eet-china”

访问电子工程专辑手机网站
随时把握电子产业动态,请扫描以下二维码

?

5G网络在提供1Gbps至10Gbps吞吐量方面具有很好的前途, 并且功耗要求比今天的网络和手机都要低,同时还能为关键应用提供严格的延时性能。本期封面故事将会与您分享5G的关键技术发展,以及在4G网络上有怎样的进步。

?
?
有问题请反馈
推荐到论坛,赢取4积分X