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全耗尽型绝缘层上硅 搜索结果

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2016-05-27 Globalfoundries表示正在开发下一代FD-SOI工艺
晶圆代工业者Globalfoundries首席技术官Gary Patton透露,其22FDX耗尽绝缘层(fully-depleted silicon-on-insulator,FD-SOI)工艺技术可望今年稍晚上市,而目前该公司正在开发后续工艺。
2016-04-07 你从哪看出中国对FD-SOI工艺技术有兴趣?
几乎每家媒体都对热门题材穷追不舍,我却觉得要写冷门题材、比较少人讨论的话题,挑战性高得多。耗尽绝缘层(fully depleted silicon on insulator,FD-SOI)就是这类冷门题材……
2015-07-23 ST与研究机构合作开发新一代高可靠性超微电子元器件
意法半导体与Carnot STAR协会成员,法国普罗旺斯材料、微电子和纳米电子研究院宣布正式启用其新设立的联合实验室。希望可以凭借多项联合研发项目,开发下一代高可靠性超微电子元器件……
2014-03-20 ST公布创新的STi8K架构的细节
ST推出创新的STi8K架构的细节,该架构将用于未来的数字家庭系统芯片(SoC)。
2014-01-17 ST为新款Xbox One Kinect提供关键器件
意法半导体与微软Microsoft密切合作,为新款Xbox One Kinect感应器提供关键元器件。 自2013年11月22日上市后,Xbox One的销售量已超三百万台。
2013-10-29 FD SOI:是否会扭转FinFET的强势?
将来什么工艺技术可以更好地满足智能手持设备应用的持续发展?FD SOI开始重新进入业界关注的焦点,在低功耗、高性能、平面工艺可延续性方面的优势是其博弈市场的杀手锏。如果FinFET遭遇产能和良率问题,中、小规模Fabless在未来的先进节点是否会面临有米无法下炊的局面? ……
2012-04-23 ST、IBM加大SoI技术研发 直追英特尔
2D平面与3D SoI晶圆的成本大约都比块状高出四倍左右,这解释了英特尔为何不愿意在三栅极FinFET工艺中使用SoI。但Solitec声称,FD晶体管将提供更大的开发时间优势,目前包括ST、 ST-Ericsson和IBM已经决定开始尝试。
2012-04-20 ST、IBM SoI技术获突破 努力赶超英特尔3D IC工艺水平
2D平面与3D SoI晶圆的成本大约都比块状高出四倍左右,这解释了英特尔为何不愿意在三栅极FinFET工艺中使用SoI。但Solitec声称,FD晶体管将提供更大的开发时间优势,目前包括ST、 ST-Ericsson和IBM已经决定开始尝试。
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