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碳化硅肖特基二极管 搜索结果

碳化硅肖特基二极管是什么?
碳化硅肖特基二极管,碳化硅肖特基二极管是什么? 通过电子工程专辑网站专业编辑提供碳化硅肖特基二极管的最新相关信息,掌握最新的碳化硅肖特基二极管的最新行业动态资讯、技术文萃、电子资料,帮助电子工程师自我提升的电子技术平台.
共搜索到61篇文章
2015-03-12 ROHM推行四大发展战略
ROHM并不是只集中于特定的产品和应用领域,而是充分利用身为综合性半导体制造商的特点,努力满足广大市场范围内不同客户的需求。其基础和根本则是ROHM在全球范围内所推行的4大发展战略。 ……
2014-09-24 先进工艺及技术创新驱动产业发展
随着半导体器件性能越来越小,体积越来越小,对于工艺的要求也逐步提高,中科微电子在IIC 2014上展示了其先进的以及极富特色的工艺。新材料功率器件及无线充电技术作为潜力应用,受到了业界的追捧,敦南科技也发力这两个领域,在IIC上展示了相关产品及技术。 ……
2014-09-23 ROHM提供最新功率元器件产品阵容
ROHM的功率元器件不仅在备受瞩目的SiC半导体领域,在硅半导体领域也在不断完善着产品阵容。今后也会继续发挥ROHM从分立式半导体到IC全覆盖的综合实力,不断推出满足多样化市场需求的产品。
2014-06-17 英飞凌发布第五代1200V thinQ!碳化硅肖特基二极管
新的1200V碳化硅二极管在工作温度范围内提供超低正向电压,其浪涌电流承受能力提高了一倍以上,并且具备卓越的散热性能。
2014-05-13 道康宁碳化硅晶圆分级结构创立行业新标准
道康宁日前推出全新碳化硅晶体分级结构,为碳化硅晶体创立了行业新标准。新分级结构对相关致命性产品缺陷,如微管位错、螺纹螺位错、和基面位错等,具有更严格的容忍度。
2013-11-26 新日本无线音频SiC-SBD粗铜线焊接有助降低损耗
新日本无线的这款新MUSES音频系列产品MUSES7001是采用了粗铜线丝焊方式的音频碳化硅肖特基二极管,粗铜线有利于降低损耗提高效率,SiC-SBD专长于高速开关动作,再加上注重最佳音质的制造工艺技术,能够实现高音质音响效果。
2013-05-21 英飞凌最新650V超结MOSFET技术的CoolMOS C7即将量产
英飞凌科技股份公司进一步壮大其高压产品组合,推出采用全新650V超结MOSFET技术的CoolMOS C7。全新的C7产品家族针对所有标准封装实现了一流的通态电阻RDS(on)。另外,得益于低开关损耗,还可在任何负载条件下实现能效改进。
2013-03-01 2013年度中国电子成就奖获奖名单揭晓
中国年度电子成就奖’旨在表彰对中国大陆电子产业及技术发展作出贡献的人士及企业,所有得奖者及入围者在提升中国电子产品的设计及性能方面都起到了非常重要的作用 ……
2013-02-04 美高森美提供新一代工业温度SiC功率模块
美高森美宣布提供新一代工业温度碳化硅标准功率模块,它们是用于要求高性能和高可靠性的大功率开关电源、马达驱动器、不间断电源、太阳能逆变器、石油勘探和其它大功率、高电压工业应用的理想选择。
2012-11-22 美高森美全新肖特基二极管瞄准大功率高压应用
美高森美推出采用碳化硅(SiC)材料和技术的全新1200 V肖特基二极管系列,新的二极管产品瞄准广泛的工业应用,包括太阳能逆变器、电焊机、等离子切割机、快速车辆充电、石油勘探,以及非常注重功率密度、更高性能和可靠性的其它大功率高压应用。
2012-11-21 罗姆谈"功率元器件"的发展与"电源IC技术"的变革
罗姆针对各种耐压水平,不仅提供功率元器件,而且提供包括外围部件在内的综合改善方案。在系列电源方面,罗姆一直在致力于提升频率特性与输出段特性、降低电路电流。其中,备受瞩目的是2012年7月推出的电路电流实现6μA的车载用LDO。
2012-11-19 聚焦“SiC”与“GaN”功率元器件领域的探索与发展
在功率元器件的发展中,主要半导体材料当然还是Si。同样在以Si为主体的LSI世界里,在“将基本元件晶体管的尺寸缩小到1/k,同时将电压也降低到1/k,力争更低功耗”的指导原理下,随着微细加工技术的发展,实现了开关更加高速、大规模集成化。在功率元器件领域中,微细加工技术的导入滞后数年,需要确保工作电压的极限(耐压)并改善模拟性能。
2012-10-15 英飞凌打造第五代SiC肖特基势垒二极管
英飞凌近日宣布推出第五代650V thinQ! SiC 肖特基势垒二极管,壮大其SiC(碳化硅)产品阵容,新一代产品相对于英飞凌以往各代thinQ!产品, PFC升压级在所有负载条件下的效率都得到了进一步的提升。
2012-09-14 Microsemi三款全新NPT IGBT面世
Microsemi宣布其新一代1200V非穿通型(non-punch through,NPT)系列的三款IGBT新产品面世:APT85GR120B2、APT85GR120L和APT85GR120J。该产品系列的所有器件均基于美高森美的先进Power MOS 8技术,与竞争解决方案相比,总体开关和导通损耗显著降低20%或更多。
2012-06-25 英飞凌新品提升太阳能逆变器性能
英飞凌科技股份公司推出新的CoolSiCTM 1200V SiC JFET 系列,该产品系列增强了英飞凌在SiC(碳化硅)产品市场的领先地位
2012-06-21 英飞凌打造革命性CoolSiC 1200V SiC JFET器件
英飞凌推出新的CoolSiC 1200V SiC JFET系列,该产品系列增强了英飞凌在SiC(碳化硅)产品市场的领先地位。这个革命性的新产品系列,立足于英飞凌在SiC技术开发以及高质量、大批量生产方面十多年的丰富经验。
2012-06-14 罗姆推业界最小VF第二代SiC-SBD
罗姆开发出实现业界最小正向电压(VF=1.35V)的第二代SiC(Silicon Carbide:碳化硅肖特基势垒二极管“SCS210AG/AM”(600V/10A)。与传统产品相比,正向电压降低了10%,非常有助于各种设备实现更低功耗。
2012-06-12 罗姆第二代SiC-SBD,实现业界最小的低VF
罗姆开发出实现业界最小正向电压(VF=1.35V)的第二代SiC(Silicon Carbide:碳化硅肖特基势垒二极管“SCS210AG/AM”(600V/10A)。与传统产品相比,正向电压降低了10%,非常有助于各种设备实现更低功耗。
2012-05-22 Microsemi1200V非穿通型IGBT比对手损耗降20%
Microsemi推出新一代1200V非穿通型(non-punch through,NPT) IGBT系列中的首款产品。新的IGBT系列采用美高森美的尖端Power MOS 8技术,与竞争解决方案相比,总体开关和导通损耗显著降低20%或更多。
2012-05-18 Microsemi新推1200V非穿通型IGBT
Microsemi推出新一代1200V非穿通型(non-punch through,NPT) IGBT系列中的首款产品。新的IGBT系列采用美高森美的尖端Power MOS 8技术,与竞争解决方案相比,总体开关和导通损耗显著降低20%或更多。
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