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PowerTrench是什么?
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共搜索到141篇文章
2014-02-17 飞兆全新PowerTrench MOSFET优化电能应用
飞兆开发了FDMC86xxxP系列P沟道PowerTrench MOSFET,与竞争对手的器件相比,这类P沟道MOSFET具有更好的开关性能品质因数,比竞争对手提供的最佳器件还要高出67%。
2013-11-19 飞兆全新智能功率模块应对更高效率和密度的挑战
飞兆半导体研发了智能功率级(SPS)模块系列——下一代超紧凑的集成了MOSFET和功率驱动器的解决方案。该系列采用飞兆在DrMOS方面的专业技术,为高性能计算和电信系统中的同步降压DC-DC转换器等应用提供高效率、高功率密度和高开关频率性能。
2013-09-29 飞兆PSW增添功率损耗和效率分析工具
飞兆最近将PSW在线设计和模拟工具,可在一分钟内提供完整的设计–进一步强化,引入传动系分立式(MOSFET/IGBT/整流器)器件功率损耗和效率分析工具。
2013-07-22 飞兆新一代TinyBuck调节器FAN23xx提供输出电流达15A
飞兆半导体公司开发了下一代TinyBuck调节器系列产品,由集成式POL调节器组成,包含恒定导通时间的PWM控制器,以及带有高端和低端MOSFET的驱动器。
2013-06-07 飞兆最新器件集成MOSFET和二极管,极大节省电路板空间
飞兆通过引入100 V BoostPak设备系列优化MOSFET和二极管选择过程,将MOSFET和二极管集成在一个封装内,代替LED电视/显示器背光、LED照明和DC-DC转换器应用中目前使用的分立式解决方案。
2013-01-09 飞兆全新中压PowerTrench MOSFET出炉
DC-DC转换应用的设计人员正面临提升功率密度的同时节省电路板空间和降低热阻的挑战。飞兆(Fairchild Semiconductor)全新的中压PowerTrench MOSFET采用Dual Cool封装技术,非常适合解决这些设计难题。
2013-01-09 高通创锐讯针对家庭网络推出StreamBoost技术
DC-DC转换应用的设计人员正面临提升功率密度的同时节省电路板空间和降低热阻的挑战。飞兆(Fairchild Semiconductor)全新的中压PowerTrench MOSFET采用Dual Cool封装技术,非常适合解决这些设计难题。
2012-12-06 飞兆PowerTrench MOSFET新增成员FDB9403
飞兆FDB9403 MOSFET作为用于电流控制的基本开关,可有效控制电能而不将其浪费,因此非常适合电动助力转向、悬架控制和传动系管理等应用。
2012-08-17 飞兆推出PowerTrench MOSFET新系列
飞兆扩展PowerTrench MOSFET系列来帮助设计人员应对电源设计挑战。这些产品属于中等电压MOSFET产品系列成员,是结合低栅极电荷(QG)、低反向恢复电荷(Qrr)和软反向恢复体二极管的优化功率开关产品,可以实现快速开关。
2012-08-10 飞兆推出两款新型P通道PowerTrench MOSFET
帮助蜂窝手机及其他便携式应用设计人员改善电池充电和负载开关,飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor) 经扩大了其P通道PowerTrench MOSFET产品线 。
2012-06-02 飞兆开发FDMF68xx Gen III DrMOS多芯片模块
新能源标准以及针对刀片式服务器、高性能笔记本电脑、游戏主机和负载点(point-of-load)模块的新系统规范,正在推动业界对更高效率、更大电流、更高开关频率以及更大功率密度的需求。为了配合行业发展趋势,飞兆半导体公司开发出FDMF68xx Gen III DrMOS多芯片模块(MCM)系列。
2012-05-02 飞兆PowerTrench器件新增FDMC8010系列
飞兆的FDMC8010 30V Power 33 MOSFET以3.3mm x 3.3mm PQFN外形尺寸提供业界最佳功率密度和低传导损耗,能够满足这些需求。
2012-04-28 飞兆PowerTrench器件新增FDMC8010系列
飞兆的FDMC8010 30V Power 33 MOSFET以3.3mm x 3.3mm PQFN外形尺寸提供业界最佳功率密度和低传导损耗,能够满足这些需求。
2012-04-19 飞兆开发出FDMF68xx Gen III DrMOS多芯片模块
新能源标准以及针对刀片式服务器、高性能笔记本电脑、游戏主机和负载点(point-of-load)模块的新系统规范,正在推动业界对更高效率、更大电流、更高开关频率以及更大功率密度的需求。为了配合行业发展趋势,飞兆半导体公司开发出FDMF68xx Gen III DrMOS多芯片模块(MCM)系列。
2012-02-10 飞兆、英飞凌扩展功率MOSFET封装兼容协议
飞兆半导体公司和英飞凌科技宣布,两家公司进一步扩展封装兼容合作伙伴关系,扩展协议将包括5x6mm非对称结构功率级双MOSFET封装。这一兼容协议是两家公司在2010年达成的协议的扩展,旨在为客户保证供货稳定性,同时满足对同级最佳的DC/DC转换效率和热性能的需求。
2011-12-15 飞兆开发迷你PowerTrench MOSFET器件
为了帮助设计人员应对减小设计空间和提高效率的挑战,全球领先的高性能功率和便携产品供应商飞兆半导体公司 (Fairchild Semiconductor) 开发出PowerTrench MOSFET器件FDMB2307NZ。
2011-12-14 飞兆MOSFET新器件应对更小空间和更高效率的挑战
Linear推出1.5W输出的DC/DC微型模块 (μModule) 转换器LTM8047和LTM8048,这两款器件具有725VDC电流隔离,采用9mm x 11.25mm x 4.92mm BGA (球栅阵列) 封装。
2011-06-15 飞兆开发出功率级非对称双MOSFET模块FDMS36xxS
电源工程师一直面对减小应用空间和提高功率密度的两个主要挑战,而在笔记本电脑、负载点、服务器、游戏和电信应用中,上述两点尤为重要。为了帮助设计人员应对这些挑战,飞兆半导体公司开发出FDMS36xxS系列功率级非对称双MOSFET模块。
2011-06-15 飞兆推出功率级非对称双MOSFET应对电源设计双挑战
电源工程师一直面对减小应用空间和提高功率密度的两个主要挑战,而在笔记本电脑、负载点、服务器、游戏和电信应用中尤为重要。为了帮助设计人员应对这些挑战,飞兆开发出FDMS36xxS系列功率级非对称双MOSFET模块。
2011-06-08 飞兆PowerTrench MOSFET系列新增工业类封装成员
对于需要提升系统效率并最大限度减少元件数目的高效AC-DC转换器等应用的设计人员来说,构建一个具备快速开关特性、更高效率和功率密度的现代电源系统是一项非常重要的指标。
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