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MicroFET是什么?
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共搜索到42篇文章
2012-08-10 飞兆推出两款新型P通道PowerTrench MOSFET
帮助蜂窝手机及其他便携式应用设计人员改善电池充电和负载开关,飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor) 经扩大了其P通道PowerTrench MOSFET产品线 。
2011-12-14 飞兆MOSFET新器件应对更小空间和更高效率的挑战
Linear推出1.5W输出的DC/DC微型模块 (μModule) 转换器LTM8047和LTM8048,这两款器件具有725VDC电流隔离,采用9mm x 11.25mm x 4.92mm BGA (球栅阵列) 封装。
2010-05-25 Fairchild推出超紧密薄型封装高性能MicroFET MOSFET系列产品
飞兆半导体公司近日推出采用超紧密薄型封装的高性能MicroFET MOSFET系列产品,能够满足可携式产品设计人员对于效率更高、外形更小更薄的解决方案需求;透过飞兆先进的PowerTrench MOSFET制程技术,实现了更低功耗与传导损耗等性能优势。
2010-05-11 Fairchild推出高性能MicroFET MOSFET产品,可实现极低的RDS(ON)/QG/QGD
飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)为满足便携产品设计人员不断寻求效率更高、外形更小更薄的解决方案的需求,推出采用超紧凑、薄型(1.6×1.6×0.55mm)封装的高性能MicroFET MOSFET产品系列。
2010-02-09 IIC-China 2010参展商展前专访:飞兆半导体
飞兆半导体公司是全球领先的高能效模拟和分立解决方案供应商,作为技术领导者,我们为消费、通信、工业、便携、计算和汽车系统提供业界先进的半导体和封装技术、制造实力和系统专业技术。飞兆半导体是一家以应用为导向、以解决方案为基础的半导体供应商,我们建立了全面的 Global Power ResourceSM (全球功率资源),其中包括在线设计工具和遍布全球的设计中心。
2009-11-25 飞兆半导体MicroFET采用薄型封装 满足空间受限设计对更小封装的需求
飞兆半导体公司(Farichild Semiconductor)宣布其MicroFET现推出行业领先的薄型封装版本,帮助设计人员提升其设计性能。飞兆半导体与设计工程师和采购经理合作,开发了集成式P沟道PowerTrench MOSFET与肖特基二极管器件FDFMA2P859T,利用单一封装解决方案,满足对电池充电和功率多工(power-multiplexing)应用至关重要的效率和热性能需求。
2009-11-24 飞兆MicroFET采用薄型封装,瞄准电池充电和功率多工应用
飞兆半导体公司(Farichild Semiconductor)宣布其MicroFET现推出行业领先的薄型封装版本,帮助设计人员提升其设计性能。飞兆半导体与设计工程师和采购经理合作,开发了集成式P沟道PowerTrench MOSFET与肖特基二极管器件FDFMA2P859T,利用单一封装解决方案,满足对电池充电和功率多工(power-multiplexing)应用至关重要的效率和热性能需求。
2009-10-13 飞兆半导体升压开关FDFME3N311ZT为高频步进DC-DC设计实现高效率
飞兆半导体公司 (Fairchild Semiconductor) 全新的升压开关产品FDFME3N311ZT,有助提高手机、医疗、便携和消费应用设计的升压转换电路效率。
2009-10-13 飞兆全新升压开关为高频步进DC-DC设计实现高效率
飞兆半导体公司 (Fairchild Semiconductor) 全新的升压开关产品FDFME3N311ZT,有助提高手机、医疗、便携和消费应用设计的升压转换电路效率。
2009-10-13 飞兆半导体推出全新升压开关产品FDFME3N311ZT
飞兆半导体公司 (Fairchild Semiconductor) 全新的升压开关产品FDFME3N311ZT,有助提高手机、医疗、便携和消费应用设计的升压转换电路效率。
2009-10-12 飞兆半导体升压开关为高频步进DC-DC设计实现高效率
飞兆半导体公司 (Fairchild Semiconductor) 全新的升压开关产品FDFME3N311ZT,有助提高手机、医疗、便携和消费应用设计的升压转换电路效率。
2009-10-12 飞兆半导体升压开关为高频步进DC-DC设计实现高效率
飞兆半导体公司 (Fairchild Semiconductor) 全新的升压开关产品FDFME3N311ZT,有助提高手机、医疗、便携和消费应用设计的升压转换电路效率。
2009-10-12 飞兆新推升压开关FDFME3N311ZT,为高频步进DC-DC设计实现高效率
飞兆半导体公司 (Fairchild Semiconductor) 全新的升压开关产品FDFME3N311ZT,有助提高手机、医疗、便携和消费应用设计的升压转换电路效率。该器件结合了30V集成式N沟道PowerTrench MOSFET和肖特基二极管,具有极低的输入电容 (典型值55pF) 和总体栅极电荷 (1nC),以提升DC-DC升压设计的效率。
2009-10-10 飞兆发布升压开关FDFME3N311ZT,为高频步进DC-DC设计实现高效率
飞兆半导体公司 (Fairchild Semiconductor) 全新的升压开关产品FDFME3N311ZT,有助提高手机、医疗、便携和消费应用设计的升压转换电路效率。该器件结合了30V集成式N沟道PowerTrench MOSFET和肖特基二极管,具有极低的输入电容 (典型值55pF) 和总体栅极电荷 (1nC),以提升DC-DC升压设计的效率。
2009-04-27 飞兆发布20V MicroFET MOSFET,具低RDS(ON)
飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor) 为便携应用的设计人员带来具有业界最低RDS(ON) 的20V 2mm x 2mm x 0.55mm 薄型MicroFET MOSFET器件。
2009-04-24 飞兆为便携应用推出具有业界最低RDS(ON)的20V MicroFET MOSFET
飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor) 为便携应用的设计人员带来具有业界最低RDS(ON) 的20V 2mm x 2mm x 0.55mm 薄型MicroFET MOSFET器件。
2009-04-24 飞兆为便携应用推出具有业界最低RDS(ON)的20V MicroFET MOSFET
飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor) 为便携应用的设计人员带来具有业界最低RDS(ON) 的20V 2mm x 2mm x 0.55mm 薄型MicroFET MOSFET器件。
2009-03-23 飞兆新推双N沟道和单N沟道MOSFET器件FDMA1024NZ和FDMA410NZ
飞兆半导体公司 (Fairchild Semiconductor)推出FDMA1024NZ和FDMA410NZ 双N沟道和单N沟道MOSFET器件,可为手机、电动牙刷和须刨等应用延长电池寿命。
2009-03-23 飞兆推出FDMA1024NZ和FDMA410NZ双N沟道和单N沟道MOSFET器件
飞兆半导体公司 (Fairchild Semiconductor)推出FDMA1024NZ和FDMA410NZ 双N沟道和单N沟道MOSFET器件,可为手机、电动牙刷和须刨等应用延长电池寿命。
2009-03-20 飞兆推出FDMA1024NZ和FDMA410NZ双N沟道和单N沟道MOSFET器件
飞兆半导体公司 (Fairchild Semiconductor)推出FDMA1024NZ和FDMA410NZ 双N沟道和单N沟道MOSFET器件,可为手机、电动牙刷和须刨等应用延长电池寿命。
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