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IEDM 搜索结果

IEDM是什么?
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共搜索到96篇文章
2016-01-07 CMOS神经探针有望为脑部疾病带来创新疗法
在2015年IEEE国际电子组件会议(IEEE IEDM 2015)上,纳米电子研究中心imec、鲁汶大学(KU Leuven)以及法兰德神经电子学研究中心(NERF)携手发表一套神经探针芯片,利用CMOS兼容工艺结合12款单芯片整合的纳米光子电路(optrode) ,可望为脑部疾病带来创新疗法……
2015-06-24 技术流:揭秘15/16纳米平面架构NAND工艺
针对平面NAND闪存的微影尺寸终点,在文献中已经有很多讨论;其替代方案是垂直堆栈式的闪存,例如三星的3D V-NAND与东芝的BiCS。业界有一个共识是平面NAND将在差不多10纳米节点终结……
2015-04-28 英特尔10纳米技术细节大揭秘
最近有位半导体产业分析师针对英特尔(Intel)将在下两个制程世代使用的技术,提出了大胆且详细的预测;如果他的预言成真,意味着芯片龙头英特尔又将大幅超前其他半导体同业……
2015-02-17 新兴的单芯片3D技术可望让芯片“重见光明”?
在20nm技术节点(包括16/14nm FinFET )时,暗硅的部分预计将占整个芯片面积的1/3,而到了5nm技术节点时还将增加到占80%的面积。 ……
2014-12-25 真3D芯片而非TSV方式?用碳纳米管来实现
大部分的3D芯片采用硅穿孔的方式推迭不同的制造芯片,但在未来,人们转换成利用碳纳米管晶体管,因为他们的性能可进一步扩展到超越硅晶,这就是为什么我们展示真正的碳纳米管电路,而不只是堆栈上的一个测试晶体管 ……
2013-04-28 第七代电荷捕获技术MirrorBit的演进
嵌入式电荷捕获技术(eCT)是一种MirrorBit电荷捕获技术的变种技术。目前Spansion正在与UMC(联华电子)共同合作开发这一技术,有望通过联华电子40nm低功耗逻辑工艺生产高性能低功耗的电子器件。
2012-12-27 漏电流问题亟待解决 30年长效电池或可期
你认为不久的将来,可能彻底改善这些电子设备的电池使用寿命?实现像HP Voyager计算机运行30年之久的长效电池吗?如何使用才能让电池达到最长寿命?效能最高呢?……
2012-12-25 人芯合一 五大高科技生物芯片助力医疗电子
研究人员正在开发对人类皮肤与器官组织更友善、更具柔软性的芯片,为医疗电子开启新应用,包括可帮助伤口愈合、然后自然分解的芯片;能像小朋友玩的纹身贴纸那样贴上或是去除的生物显示器……
2012-12-14 微影技术挑战 14纳米节点难迈的坎
半导体制程迈向14纳米节点时,可能无法达到通常每跨一个世代,芯片性能可提升30%的水准,主要是因为新制程节点缺乏所需的有效微影技术。芯片制造商若要延续摩尔定律的生命,可能得采用新的材料或是元件型态……
2012-12-13 SRAM末日加速!东芝开发STT-MRAM耗电量为其1/3
东芝新开发的STT-MRAM技术只需传统STT-MRAM耗电量的1/10即可维持高速运作,且改善了内存漏电的问题,未来可能替代SRAM,使智能型手机、平板计算机等设备更省电……
2012-11-02 英特尔和竞争对手决战IC制造之巅
芯片巨头英特尔和围绕IBM和意法半导体(ST)的研究伙伴将分别在即将于12月在旧金山召开的国际电子器件会议(IEDM)上报告其在领先的IC制造技术方面各自的进展。
2012-08-02 GSS:22nm之后FinFET必将转移到SOI技术
据GSS最近进行的TCAD模拟分析显示,在SOI晶圆上制造的完全耗尽型FinFET晶体管可提升一倍电池寿命,该分析机构CEO表示,英特尔在22nm之后可能会发现必须转移到FinFET-on-SOI,而尚未引进FinFET的代工厂们,也必须更加关注SOI技术。
2011-12-29 IMEC研究10nm级超小型RRAM存储单元
欧洲研究机构IMEC在国际电子元件大会上,提出了尺寸仅10nm x 10nm的电阻式RAM存储单元。据IMEC称这种超小型的存储器具有取代NAND闪存的潜力。
2011-12-02 三星发布新一代20nm 8G相变存储器,PCM商用化更进一步
三星电子即将于2012年国际固态电路会议(ISSCC 2012)上发表采用20nm工艺制程的8Gbit相变存储器(PCM)元件,预期此举将再度挑起相变存储器是否可商用化上市的辩论。
2011-11-15 逻辑处理器制造技术中的平衡艺术
目前,逻辑处理器的制造技术正在快速向更先进工艺节点演进。随着制造商从45nm逐步转向30nm和20nm,新的创新技术开始展现风采。未来,可能必须为特殊应用设计处理器。随着制造商从一代工艺技术转向下一代工艺技术,新的突破性创新很快就会推出,发展远景令人期待。
2011-09-29 三星将展示复位电流降低90%的材料等相变存储器最新进展
非挥发性相变存储器技术长久以来一直被讨论是否可取代现有的主动式存储器和闪存,但迄今仍充满争议,三星的研究团队仍计划在今年底的IEDM上,透过展示完全整合的20nm相变随机存取单元,揭示PCM和电阻式RAM的最新研究进展。
2011-09-26 2011 IEEE IEDM将热议化合物半导体最新技术
今年的国际电子器件大会中,将有来自英特尔、Teledyne和HRL三个不同团队的研究人员,展示目前化合物半导体所能达到的最新性能记录,包括三栅极FinFET晶体管、40nm InGaAs异质HEMT、GaN HEMT元件等技术。
2011-09-22 IBM将发布CMOS兼容2GHz石墨烯IC制造技术
来自IBM的研究人员将在12月初于美国华盛顿特区举行的年度国际电子器件会议上,发表与CMOS兼容8英寸晶圆工艺生产石墨烯材料2GHz倍频RF电路的技术论文。
2011-01-14 第二代数字电容隔离器原理及结构
工业和医疗应用中机器和设备设计规定的愈加严格迫使我们必须要在几乎所有类型的电子系统或电路中实施电隔离。尽管数字隔离器已经代替了模拟隔离器,从而简化了隔离接口的设计,但广大设计人员现在面临的挑战是日益增长的高系统性能需求。
2011-01-12 第二代数字电容隔离器定义高性能新标准
工业和医疗应用中机器和设备设计规定的愈加严格迫使我们必须要在几乎所有类型的电子系统或电路中实施电隔离。尽管数字隔离器已经代替了模拟隔离器,从而简化了隔离接口的设计,但广大设计人员现在面临的挑战是日益增长的高系统性能需求。
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