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FDFMA2P859T是什么?
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2009-11-25 飞兆半导体MicroFET采用薄型封装 满足空间受限设计对更小封装的需求
飞兆半导体公司(Farichild Semiconductor)宣布其MicroFET现推出行业领先的薄型封装版本,帮助设计人员提升其设计性能。飞兆半导体与设计工程师和采购经理合作,开发了集成式P沟道PowerTrench MOSFET与肖特基二极管器件FDFMA2P859T,利用单一封装解决方案,满足对电池充电和功率多工(power-multiplexing)应用至关重要的效率和热性能需求。
2009-11-24 飞兆MicroFET采用薄型封装,瞄准电池充电和功率多工应用
飞兆半导体公司(Farichild Semiconductor)宣布其MicroFET现推出行业领先的薄型封装版本,帮助设计人员提升其设计性能。飞兆半导体与设计工程师和采购经理合作,开发了集成式P沟道PowerTrench MOSFET与肖特基二极管器件FDFMA2P859T,利用单一封装解决方案,满足对电池充电和功率多工(power-multiplexing)应用至关重要的效率和热性能需求。
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