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FD-SOI工艺 搜索结果

共搜索到42篇文章
2016-05-27 Globalfoundries表示正在开发下一代FD-SOI工艺
晶圆代工业者Globalfoundries首席技术官Gary Patton透露,其22FDX全耗尽型绝缘层上硅(fully-depleted silicon-on-insulator,FD-SOI)工艺技术可望今年稍晚上市,而目前该公司正在开发后续工艺
2016-05-11 FinFET教父:说半导体产业还能持续发展100年,我是认真的
“不必担心‘摩尔定律’走到尽头,因为在整个半导体发展蓝图上还有许多好办法。”被誉为“FinFET教父”的中研院院士胡正明在日前一场研讨会上指出,新的晶体管概念能够为芯片产业点燃持续发展数十年的动力。
2016-05-03 如何打破模拟定制设计工具10年停滞之困局?
经历了手工布局、电脑化布局等漫长的发展历程,定制设计方法的发展已经停滞了至少十年。最近一次尝试提高定制设计生产力的努力是采用条件驱动的设计,但没有取得承诺的效果。
2016-04-28 三星高层透露其晶圆代工技术蓝图
三星半导体(Samsung Semiconductor Inc. ,SSI)的高层透露了该公司晶圆代工厂技术蓝图细节,包括将扩展其FD-SOI产能,以及提供现有FinFET工艺的低成本替代方案。
2016-04-18 FD-SOI是火了,但它有没有颠覆些什么?
相较于FinFET,FD-SOI具备更多优点。虽然FinFET的性能极高,但少了成本效率。FD-SOI基板虽然较昂贵,但工艺却较低功耗、bulk性能更好,也更适用于RF——而这正是IoT的关键……
2016-03-28 大基金再度出手,FD-SOI在中国命运即将揭晓
法国Soitec公司从2007年开始就与中国产业生态建立起了紧密的伙伴关系。FD-SOI平面技术的成本较低,且能够更快实现有竞争力的产量,是帮助中国IC设计企业在手机、物联网、电子消费品、穿戴设备等应用领域实现芯片成本、性能、能耗最佳平衡的……
2016-03-24 索尼和三星的选择:用FD-SOI来做ISP,并量产CIS
过去几年来,CMOS影像传感器(CIS)供应商已经逐渐接受芯片堆栈了。在此基础下,CIS能够和影像信号处理器(ISP)共同堆栈。针对其下一步的发展,目前至少有两家主要的业者——Sony和三星——据称正琢磨使用FD-SOI晶圆制造ISP,以便与CIS共同实现芯片堆栈。
2016-03-14 Tech Shanghai:发现物联网时代的产业新动向
TechShanghai技术论坛由多个极富特色的会议组成,电源管理及功率器件、工业与医疗电子、汽车电子、物联网/智能家居、智能硬件/可穿戴设备、DesignCon等论坛将会为参会者带来最新的技术及解决方案、解读行业热点及技术发展趋势。
2016-01-13 2016半导体产业展望(中):新技术的演进趋势
在2016半导体产业展望上篇中,我们分析了物联网将如何对半导体产业进行催化,在中篇中,我们会细化到各项具体的技术,来看看他们的演进趋势。USB Type C有望成为下一代智能移动设备的标配……
2015-12-22 为物联网SoC采用微缩工艺值得吗?
近几个月来,一些主要的半导体业者与IC代工厂陆续宣布微缩IC的晶体管尺寸至14纳米(nm),从而为物联网(IoT)系统单芯片(SoC)降低尺寸与成本的下一步铺路。但真的要微缩至这么小的几何尺寸并不容易……
2015-11-06 拼换机市场,麒麟950能否替华为找到答案?
怎么才能让消费者在换机上愿意花钱?“微创新消费者不会买账,5G通信早,现在是技术过剩,即使是我们出个10核的手机,别人也不一定觉得有必要。”海思芯片的负责人开了个玩笑,“普遍二胎好,新增加人口是个好办法,可这是一二十年后的事。现在两年消费者不换机,手机芯片企业都活不下去了。”
2015-09-30 FD-SOI技术在中国:需要开拓者
我可以说“2015上海FD-SOI论坛”是其共三届论坛中最重要的一次。在FD-SOI工艺领域,最具里程碑的事件是今年7月GlobalFoundries推出了22nm的FD-SOI工艺,该公司称其为“22FDX”平台……
2015-09-21 格罗方德与芯原携手,推低功耗处理器与1美元IoT芯片
现在玩高端芯片越来越需要胆量了。据说,FinFET工艺的光罩费起跳都是500万美元,投还是不投?这颗芯片要有多大的量与利润才能收回投资?不过,你放心好了,就算你有钱想做FinFET工艺,可能还轮不到你,因为……
2015-08-25 给我一座晶圆厂,我能振兴整个欧洲半导体业
欧盟打算振兴整个半导体产业链,好让欧洲出产的芯片达到占据整体全球芯片产能的两成。但遗憾的是,包括英飞凌、恩智浦与意法半导体等欧洲半导体大厂,对于提升数字芯片产能的兴趣都不大……
2015-08-11 中芯国际28nm量产的头啖汤为何给了骁龙410?
2013年中芯国际就宣布开发28nm工艺。28nm工艺有两个方向,一个是高介电常数金属闸极(HKMG),一个是低功耗型的传统氮氧化硅(Sion),前一个技术难度要高很多……
2015-07-24 关于GLOBALFOUNDRIES 22nm FD-SOI工艺平台的若干问题
格罗方德(GLOBALFOUNDRIES)日前发布了一种全新的半导体工艺“22FDX”平台,以满足新一代联网设备的超低功耗要求。22FDX工艺平台包括了4个工艺:22FD-ulp、22FD-uhp、22FD-ull和22FD-rfa……
2015-07-16 格罗方德22nm FD-SOI工艺4大差异化产品详解
格罗方德半导体(GLOBAL FOUNDRIES)于7月14日发布了一种全新的半导体工艺,以满足新一代联网设备的超低功耗要求。22FDX可为物联网、主流移动设备、RF连接和网络市场提供最佳的性能、功耗和成本组合……
2015-07-14 GF全球首发22nm FD-SOI工艺,优势劣势都告诉你
GlobalFoundries今天宣布推出全新的“22FDX”工艺平台,全球第一家实现22nm FD-SOI(全耗尽绝缘硅),专为超低功耗芯片打造。FD-SOI技术仍然采用平面型晶体管, 目前并不为业内看好……
2015-07-08 FinFET和FD-SOI争什么争!掺在一起做啊
在我们大多数人“非黑即白”、“非此即彼”的观念里,半导体业者应该不是选择FinFET就是FD-SOI工艺技术。未来会不会有一家厂商,透过结合FinFET与FD-SOI给我们带来的“惊喜”……
2015-06-19 FD-SOI工艺技术成败还看中国?
大器晚成的FD-SOI似乎很容易被产业界“看扁”,特别是半导体产业龙头如英特尔(Intel)与台积电(TSMC)似乎已经将FinFET当成标准技术。甚至在中国……
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