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Globalfoundries表示正在开发下一代FD-SOI工艺

上网日期: 2016年05月27日 ?? 作者: Peter Clarke ?? 我来评论 字号:放大 | 缩小 分享到:sina weibo tencent weibo tencent weibo


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关键字:Globalfoundries? 全耗尽型绝缘层上硅? FD-SOI工艺?

晶圆代工业者格罗方德(Globalfoundries)首席技术官Gary Patton透露,其22FDX全耗尽型绝缘层上硅(fully-depleted silicon-on-insulator,FD-SOI)工艺技术可望今年稍晚上市,而目前该公司正在开发后续工艺。

Globalfoundries声称其针对不同应用优化的22FDX平台四种工艺,能提供媲美FinFET技术的性能与省电效益,而成本则是与平 面28纳米CMOS工艺相当;其工艺的反偏压(back-biasing)特性,能供从性能动态改变晶体管运作的机会,将泄漏电流最小化。

不过目前先进IC工艺仍以FinFET技术为主流,该工艺获IP供应商以及各大晶圆代工业者拥护,包括Globalfoundries自己;而三星(Samsung)的晶圆代工厂也有提供28纳米FD-SOI工艺。

Globalfoundries首席技术官Gary Patton《电子工程专辑》

Patton在IBM担任研究人员多年,是在Globalfoundries收购IBM的半导体业务之后加入该公司;他在参加近日于布鲁塞尔举行的 年度Imec科技论坛时,于场边接受EE Times欧洲版编辑访问表示:“我们认为FinFET与FD-SOI都很适合移动应用领域。”

根据Patton指出,其工艺技术研发始于美国纽约州的Malta晶圆厂,并已经转移至德国的Dresden生产线;其良率达成已经比预计时间表提前,目前的焦点集中在建立设计IP库。

Globalfoundries正在与一家名为Invecas的IP供应商合作,为14纳米FinFET工艺与22纳米FD-SOI工艺开发基础IP;而Globalfoundries准备在2016年底为客户进行22FDX工艺试产,量产时程则预计在2017年。

Patton认为,FinFET工艺的高驱动电流特性非常适合在大型芯片驱动信号线,因为这类芯片需求持续性能;不过对于较小型芯片以及对功耗较敏感的芯片,FD-SOI就是更好的选择。Patton也指出,FinFET有一种量化驱动机制(quantized drive regime),开发工程师必须选择1个、2个甚至更多的鳍(fin),但这并不适合模拟或射频(RF)信号。

虽然Globalfoundries力捧22FDX工艺在物联网(IoT)应用模拟与RF组件生产上的优势,Patton指出该工艺也能因应数字 IC需求:“有许多移动应用数字芯片都是采用65纳米与40纳米工艺,比起将之转移至其他平面工艺,例如FD-SOI,改用FinFET工艺的成本很高。”

不过Globalfoundries 的FD-SOI工艺──起源是IBM的研究案,后来由意法半导体(STMicroelectronics)以及现在的Globalfoundries与三星所拥护──有个艰苦的孕育期,在一开始与意法半导体签署技术授权协议后,又过了四年才于Dresden晶圆厂量产。

随着FD-SOI的潜在设计案有可能别抱16纳米或是10纳米FinFET工艺,缺乏技术蓝图有可能会成为FD-SOI的劣势之一;当代IC设计牵涉大量的专有IP或是来自第三方合作供货商的IP,因此工艺的延续性成为受关注的重点。

对此Patton表示:“我们下一代的全空乏工艺已经在Malta进行开发,”但他并未确认是哪个工艺节点;究竟目前最小的工艺节点是多少仍有争 议,例如台积电(TSMC)将推出的10纳米与7纳米工艺,组件特征尺寸(feature sizes)分别是20纳米与14纳米,而以32纳米或36纳米的间距(pitch)进行生产。

编译:Judith Cheng

本文授权编译自EE Times,版权所有,谢绝转载

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