电子工程专辑
UBM China

三星高层透露其晶圆代工技术蓝图

上网日期: 2016年04月28日 ?? 作者: Jessica Lipsky ?? 我来评论 字号:放大 | 缩小 分享到:sina weibo tencent weibo tencent weibo


打开微信“扫一扫”,打开网页后点击屏幕右上角分享按钮

1.扫描左侧二维码
2.点击右上角的分享按钮
3.选择分享给朋友

关键字:三星晶圆代工? 14纳米FinFET? 技术蓝图?

三星半导体(Samsung Semiconductor Inc. ,SSI)的高层透露了该公司晶圆代工厂技术蓝图细节,包括将扩展其FD-SOI产能,以及提供现有FinFET工艺的低成本替代方案。

而 其中最受瞩目的就是三星将开发低成本14纳米FinFET工艺(14纳米LPC),该公司已经出货了超过50万片的14纳米工艺晶圆,并将该工艺的应用扩展到网络/服务器以及汽车等领域,但三星的晶圆代工业务营销资深总监Kelvin Low表示,他预期下一代应用将可扩展至需求较低成本的项目。

三星高层透露其晶圆代工技术蓝图《电子工程专辑》

“总是会有一些关于成本与性能权衡的疑虑,”Low接受EE Times美国版编辑访问时表示:“LPC与LPP (14纳米)有同样的PDK,而工艺步骤已经减少…这让我们能达到较低的制造成本,而且我们决定将之与我们的客户分享。”

三 星也将在今年提供14 LPC的RF附加技术;Low并未说明那些工艺步骤被减少,也未提及14纳米LPP (即Low-Power Plus,为三星第二代14纳米FinFET工艺技术)与LPC之间的成本差异到底有多少,仅表示较低成本的工艺技术选项将能在今年某个时间提供。

Low 补充指出,三星将发表10纳米LPP工艺技术,在性能上会比第一代的10纳米LPE (Low-Power Early)工艺提升10%;而虽然三星的晶圆代工事业部门已经开始研发7纳米LPP节点,并号称在功耗、性能与面积(PPA)的微缩上具竞争力,但 Low表示在10纳米节点与7纳米节点之间会有一些模糊地带。

“我们认为10纳米节点的寿命会比其他晶圆代工厂所声称的更长,而我们认为7纳米节点必须要以大量生产为目标进行定义与优化,不只是锁定高利润的产品;”Low表示:“EUV微影技术会是让7纳米节点技术达到可负担之成本的重要关键。”

据了解,三星最近已经向一组客户简报其EUV技术现况,但细节不便对媒体透露;Low表示,该公司已经有一些样本产出,但还不到可以宣布7纳米工艺EUV技术可行的地步。

在 现有技术方面,三星正在提升8吋晶圆技术的产能,从180纳米到65纳米节点;8吋晶圆技术将涵盖嵌入式闪存(eFlash)、功率组件、影像传感器,以及高电压工艺的生产。“我们持续收到客户对8吋晶圆技术产能的需求,”Low表示:“我想目前在某些特定区域仍供不应求,而且相关需求越来越显 着。”

三星也将在现有的28纳米FD-SOI基础上,于2017、2018年添加RF与嵌入式非挥发性内存(NVM)技术;该公司将更聚焦于先进工艺技术,而非出货量已经下滑的智能型手机相关技术。Low表示:“重要的是有很多新应用出现,都是非常令人兴奋的东西;”他指出,如汽车应用市场对该公司就是不少可期待的商机。

为了克服先进工艺节点的挑战,Low表示三星正积极与客户进行更深一层、更早期的合作;该公司也会对客户开放其设计流程以及设计方法,以加速产品设计时程。

编译:Judith Cheng

本文授权编译自EE Times,版权所有,谢绝转载

《电子工程专辑》
关注最前沿的电子设计资讯,请关注“电子工程专辑微信公众号”。







我来评论 - 三星高层透露其晶圆代工技术蓝图
评论:
*? 您还能输入[0]字
分享到: 新浪微博 qq空间
验证码:
????????????????
?

关注电子工程专辑微信
扫描以下二维码或添加微信号“eet-china”

访问电子工程专辑手机网站
随时把握电子产业动态,请扫描以下二维码

?

5G网络在提供1Gbps至10Gbps吞吐量方面具有很好的前途, 并且功耗要求比今天的网络和手机都要低,同时还能为关键应用提供严格的延时性能。本期封面故事将会与您分享5G的关键技术发展,以及在4G网络上有怎样的进步。

?
?
有问题请反馈
推荐到论坛,赢取4积分X