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屯里土生土长的武汉新芯,凭啥和一流厂商叫板3D NAND?

上网日期: 2016年04月12日 ?? 作者: Junko Yoshida ?? 我来评论 字号:放大 | 缩小 分享到:sina weibo tencent weibo tencent weibo


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关键字:武汉新芯? 3D NAND? 中国存储器产业?

中国正急于建立自己的存储器芯片产业,这一点当然毋庸置疑。不过到底要如何以及何时才能实现这一愿景,却仍旧是个迷——日本的几位半导体行业知情人士在接受《EETimes》美国版采访时指出。

中国国家集成电路产业投资基金拥有雄厚的财力,而这笔由地方政府主导的经济资源将被用于帮助中国的“内存梦”一步步成为现实。

不过抛开主观愿望,中国要想真正建立属于自己的存储器产业,还需要可靠的知识产权来源与工程技术人才。

《电子工程专辑》中国代工厂商XMC武汉新芯

中国代工厂商武汉新芯(XMC)于上周在武汉正式着手兴建一座新的晶圆代工厂,旨在制造3D NAND闪存芯片。整个建设计划预计耗资240亿美元,资金来源则包括集成电路产业投资基金、湖北集成电路产业投资基金以及中国发展投资基金等多个财团,XMC方面指出。

一位日本半导体设备专家表示,这笔交付XMC的投资“极其巨大”。他同时语带讽刺地指出:“这意味着项目必须得取得成功。”不过在被问及XMC将使用哪家企业的3D NAND闪存技术时,他的回答是“他们说使用的是自有IP。不过我对此并不了解。”

中国代工厂商XMC武汉新芯《电子工程专辑》

三星 vs. 东芝

IHS 技术公司半导体价值链主管Akira Minamikawa也表达了类似的谨慎态度。说起XMC的3D NAND闪存制造起步工作,他认为“非常艰难”。以三星为例,他指出尽管三星公司在其3D NAND闪存项目当中投入了大量资源,但仍然耗费相当长的时间才构建完成。

东芝公司据称同样饱受3D NAND闪存开发难题的困扰。Minamikawa发现东芝公司的3D NAND闪存记忆体进程较三星方面“至少延后了一年时间”。“诚然,东芝公司表示其3D NAND已经开始发布样品。但一般来讲,样品制造与批量生产之间仍然有着很大距离。”

可以肯定的是,XMC也将面临着同样的挑战——事实证明,3D NAND闪存技术的发展成熟以及制作当中所必需的精密工艺技术都需要长时间打磨方可实现。“当然,整个过程至少需要三到四年,”Minmikawa表示,“甚至更久。”

而更令各位专家费解的是,XMC是否真的拥有自己的3D NAND闪存知识产权。

本文下一页:中国在半导体工艺技术层面缺乏人才储备


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