电子工程专辑
UBM China

大基金再度出手,FD-SOI在中国命运即将揭晓

上网日期: 2016年03月28日 ?? 作者: 邵乐峰 ?? 我来评论 字号:放大 | 缩小 分享到:sina weibo tencent weibo tencent weibo


打开微信“扫一扫”,打开网页后点击屏幕右上角分享按钮

1.扫描左侧二维码
2.点击右上角的分享按钮
3.选择分享给朋友

关键字:大基金? FD-SOI? 中国IC设计?

22nm FD-SOI比FinFET更具成本竞争力

FinFET和FD-SOI技术都允许晶体管的全耗尽操作,从这点来说两者是相似的。Thomas Piliszczuk给出的建议是,对于一些要求大型芯片及大量电子集成元件,并且需要强大性能的应用来说,FinFET是最好的解决方案;对于其他更加关注成本,以及希望拥有更小芯片和更多模拟集成的应用来说,FD-SOI是正确的选择。

F3:22nm FD-SOI比FinFET更具成本竞争力《电子工程专辑》
F3:22nm FD-SOI比FinFET更具成本竞争力

理由来自以下三点:

第一是晶体管的混合信号性能,这点由于3D晶体管的外形因素表现非常差。

这些3D结构实际上会构成大型的已开发平面(Developed Surfaces),增加寄生电阻。FD-SOI在混合信号方面主要得益于自然的2D晶体管,由于无掺杂及负偏压操作能力,其性能甚至超过了传统的平面bulk工艺。

第二是技术成本低。FinFET需要大量的双重图形层才能实现微小几何形的垂直结构。FD-SOI能够在28nm节点上实现成本平价,同时在更先进的技术节点上进一步优化芯片成本。我们提供的FD-SOI晶圆是一块预处理的晶圆,比bulk silicon价格更贵,但是在实现最终版本的芯片过程中所需要的操作步骤更少。随着更多先进技术的出现和光刻成本的激增,节省的多重光罩成本可以完全抵消FD-SOI基板的预处理成本差额。

FinFET的另一个挑战在于制造工艺复杂困难。技术研发时间是个很大的挑战,相比2D晶体管来说,采用3D结构不管是工艺还是设计流程都更难掌控。FD-SOI简化了bulk工艺流程,使FD-SOI技术实施起来非常方便。此外,FD-SOI技术研发时间短,通常生产学习周期(Yield Learning Cycle)也很快。

22nm FD-SOI工艺发展的下一步是什么节点?Soitec方面称业界已在未来低至10nm及其同等性能的工艺节点上考虑应用FD-SOI二维技术,现有的晶圆厂合作伙伴已经在研究FD-SOI在更先进节点上的应用。此外,法国电子研究机构Leti表示FD-SOI路线图可发展到7nm,采用负偏压获得的性能优势十分明显。Leti希望能扩大目前的机会,使这一技术进一步进发到更为广阔的领域,吸引众多需要多技术节点支持的应用。

本文为《电子工程专辑》原创,版权所有,转载请注明出处并附链接