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三星28nm FDSOI工艺芯片投产

上网日期: 2015年12月29日 ?? 作者: Peter Clarke ?? 我来评论 字号:放大 | 缩小 分享到:sina weibo tencent weibo tencent weibo


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关键字:28nm? 三星? FDSOI?

根据法国Soitec SA旗下《Advanced Substrate News》期刊报导,三星(Samsung)正为意法半导体(STMicroelectronics;ST)投产28nm全耗尽型绝缘体上覆硅 (FDSOI)晶片,而且还有其他客户也正排队等候中。ST是该技术的开发公司。

该报导中还访问了三星代工业务资深行销总监Kelvin Low以及三星半导体(欧洲公司) System LSI业务总监Axel Foscher。而法国Soitec SA则提供了量产FDSOI所用的SOI晶圆。

全耗尽型绝缘体上覆矽(FDSOI)《电子工程专辑》
全耗尽型绝缘体上覆硅(FDSOI)

Low表示,三星已经在2015年间展开几项多专案晶圆(MPW)服务了,预计在2016年还将推出更多计划,此外,三星还打造IP核心的实体设计套件(PDK)与平台,现在也已经可用了。

除了ST与飞思卡尔(Freescale)以外,Low并未透露哪些FDSOI客户,但表示将有更多经营“所有细分市场的客户,尤其是物联网(IoT)等成 本与超低功耗组合至关重要的领域。”Low并预计,FDSOI芯片将出现在2016年的消费性电子产品中,而如果想渗透至通讯基础设施、连网与汽车电子等领域的话,预计还有更长的路要走,因为这些领域存在更严苛的性能要求。

他并表示,“每个人都在等待Chipworks或TechInsights拆解采用FDSOI的终端产品。但这只是时间的问题罢了。”

同时,格罗方德(Globalfoundries)正研发基于22nm最小几何设计规则的工艺,可实现低至0.4V的低功耗,较三星的工艺领先约一年的时间。

编译:Susan Hong

本文授权编译自EE Times,版权所有,谢绝转载

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