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国产MCU明星朱一明:做非爆品,有些羊毛看不见

上网日期: 2015年12月07日 ?? 作者: 孙昌旭 ?? 我来评论 字号:放大 | 缩小 分享到:sina weibo tencent weibo tencent weibo


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关键字:爆品? 朱一明? 国产MCU?

几种新兴memory技术的趋势,三星pk英特尔

昌旭:近几年,memory技术发展很快,您对各种新兴技术的趋势如何预测?

朱一明:先简单地分析一下。

我们对mMemory还是很看好的,所以我们自己也投了一个创新的mMemory的公司。mRAM过去的规划是替代DRAM,如果不能替代DRAM,未来就做做小众的市场,把SRAM替换掉也是有可能。

fMemory还是比较nich,不会有太大的市场。

PMemory(相位变换memory)还是有很大的机会的,因为英特尔宣布了用于PMemory的新材料和cross point技术,将功耗大大降低,将这一技术推向前进了。根据英特尔与美光近期发布的公告看,PMemory的规划是在服务器/PC上直接要替代目前主流的DRAM,而我们的专家分析,从工艺制造上来看,PMemory未来的价格也是将比DRAM便宜很多,其Die可以做到非常小。所以,最近我们也在关注这一类的公司。

英特尔在下一代的CPU上已为PMemory留下接口。参考英特尔的资料,其性能比Nand快一千倍,但是成本又比DRAM便宜很多。所以,我们认为,至少未来在服务器中,PMemory会替代DRAM成为一个主流的技术。

而我们的思路是反过来看,PMemory这一趋势形成后,我们可以去做那些特殊的应用,我们决不会与去英特尔拼。不过,从我个人的理解,目前PMemory的缺点主要是在85度以上的温度时会不稳定;另外,写周期相对短一些。

所以,Memory产业这几年发生了很多重大的变化。第一个就是英特尔这个用于PMemory的cross point技术,如果真的2016年投入商用,就是划时代的变化。

第二个就是3D Nand。这个对于存储领域绝对是一个划时代的进步。主流公司都在往这个方向走。我们兆易创新美国的团队也在研究这个方向。三星也是3D NAND的最大推动者,第一个量产的厂商。未来在其它新兴的memory技术上,三星仍可能会是量产的首个推动者,他们大规模经济化的能力实在很强。韩国在memory这个市场地位仍是不可动摇。

第三个就RRAM,但是这个我个人认为还有一些问题。

从我们角度来看,在memory上做前沿的投资,这个非常重要。要根据公司的实力有的放矢的干,不能为了梦想盲干(呵呵,小编就不评论了)。

本文下一页:收购日本公司首先要有机会陪喝酒


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