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扇出型晶圆级封装或将扇出型向面板级封装转变

上网日期: 2015年11月11日 ?? 作者: Julien Happich ?? 我来评论 字号:放大 | 缩小 分享到:sina weibo tencent weibo tencent weibo


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关键字:晶圆级封装? 面板级封装? 扇出型?

业界对FO-PLP路线发展反应不一

Rudolph Technologies公司的蚀刻系统部应用经理Roger McCleary对FO-PLP路线图比较乐观,并暗示他的公司最早将于2016年开始支持大面板的预生产,并在2017年之前在再分配层蚀刻、处理超过5mm翘曲所必要的方法和补偿措施方面作好完整生产设备的准备。

“在半导体后端行业中还看不清长期前景,但我们认为扇出型封装将显著增长。”他表示,并补充道,随着封装的变大,他们将减少传统晶圆上的元器件数量,并推动制造商转向更大的基板,以便实现更低的封装成本。

McCleary期待公司的第三代Jet-Step蚀刻设备能够处理面积达650×550mm (5倍于300mm晶圆面积)的面板,并使产能与Stepper设备上的300mm晶圆处理相比有2倍的增长。他引用了一个估计的吞吐量——每小时107,113个裸片,相比目前每小时只有42,504个裸片。

SPTS公司PVD生产管理经理Chris Jones对FO-PLP则没有那么乐观。

“高带宽封装中的2.5D和3D裸片集成正在进行中,但何时能够有更广阔的市场?”他问,“关键在于成本,那么FO-WLP可以填补这个空隙吗?”

Jones透露为了处理200、300和330mm晶圆而在公司的Sigma fxP PVD系统上做的一些修改,但他热心地指出了面板级封装的分辨率和翘曲问题。

最后一位演讲者是SUSS MicroTec公司产品管理激光工艺处理总监Kevin Yang,他介绍了使用紫外线蚀刻和准分子激光烧蚀的大尺寸刻制解决方案。

他承认,虽然所有平台可能共存,但450mm晶圆的采纳非常缓慢,这可能使得基于面板的封装变成发展更加快速的替代技术,以便降低封装成本。尽管如此,他还是提出了面板标准和基础设施方面的一些问题,什么尺寸、什么材料、什么工艺和设备?

然后他详细介绍了使用该公司的ELP600实现的规格和满意结果。ELP600是一个房间大小的准分子烧蚀系统,能够处理大到600mm×600mm的基板。

图5:一种可能的FO-WLP路线图。《电子工程专辑》
图5:一种可能的FO-WLP路线图。
Source:Yole Développement

本文为《电子工程专辑》原创,版权所有,谢绝转载


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