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美光新型闪存号称要取代串/并列NOR

上网日期: 2015年11月05日 ?? 作者: R. Colin Johnson ?? 我来评论 字号:放大 | 缩小 分享到:sina weibo tencent weibo tencent weibo


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关键字:美光? 新型闪存? NOR闪存?

是时候该跟平凡无奇的NOR闪存说再见了?美光科技(Micron)最近发布最新XTRMFlash系列产品,号称速度可达到3.2Gb/s,而且与目前市面上的串行式NOR闪存接脚兼容。

美光嵌入式业务部门NOR闪存产品总监Richard De Caro表示:“并列式闪存的时代已经结束了,美光新推出的XTRMFlash将可在接下来取代目前市面上的并列式与串行式内存──也许除了一些低密度应用。”美光将为新产品推出容量从128Mb~2Gb的产品,目前第一波512Mb的产品已可提供样品。

美光已经取得了包括飞思卡尔半导体(Freescale)在内数家大型芯片供应商的背书;XTRMFlash新产品的问世也正与研究机构Databeans最新预测相 符──该机构预期,车用半导体营收规模将由今年的285亿美元扩展至2020年的400亿美元,其中有大部分应用是取决于NOR闪存,包括GPS、 卫星无线电、车辆对车辆通讯以及车用资通讯娱乐系统。

根据De Caro的说法,XTRMFlash的性能超越并列式、串行式以及Quad-SPI等类NOR闪存,其接脚数比目前的并列式NOR闪存减少 75%;此外该技术的随机访问时间最快83纳秒(nanoseconds)、循序字节读取(sequential byte read)最快2.5纳秒,传输速度400MB/s (高于并列与串行闪存)。

XTRMFlash也能与目前串行式快闪内存采用的Quad SPI接脚兼容,只需小幅改变电路板设计就能达到上述的性能规格。美光表示最近已经在一些热门的汽车、工业与消费性领域“永不关机”应用,测试其 XTRMFlash内存,能为人机界面、图形用户界面(GUI)、仪器仪表、车用资通讯系统与先进驾驶人辅助系统(ADAS)带来及时性的成功。

编译:Judith Cheng

本文授权编译自EE Times,版权所有,谢绝转载







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