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FD-SOI技术在中国:需要开拓者

上网日期: 2015年09月30日 ?? 作者: Yorbe Zhang ?? 我来评论 字号:放大 | 缩小 分享到:sina weibo tencent weibo tencent weibo


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关键字:FD-SOI? FinFET? 上海FD-SOI论坛?

我可以说“2015上海FD-SOI论坛”是其共三届论坛中最重要的一次。

图1:FD SOI的成本分析,已包括IP的费用。《电子工程专辑》
图1:FD SOI的成本分析,已包括IP的费用。

首先我们回顾下这三年来在FD-SOI工艺和相关集成电路产品上取得的进展以及呈现出的问题。

在FD-SOI工艺领域,最具里程碑的事件是今年7月GlobalFoundries推出了22nm的FD-SOI工艺,该公司称其为“22FDX”平台。该平台的几个突出的特点是工作电压可做到0.4V,与28nm HKMG工艺相比功耗降低了70%。这就为物联网、可穿戴设备等需要功耗小、成本低的应用带来了合适的解决方案。

截止目前,介入FD-SOI工艺的公司还包括STMicroelectronics和三星。

就基底供应商的情况来分析,包括Soitec、SunEdison与Shin-Etsu Handotai等,目前均已可稳定供货。

IP是另一个主要问题。绑定28nm FD-SOI工艺的IP已相对成熟和完善,而由于22nm预计在2016年上半年正式进入量产阶段,GlobalFoundries、VeriSilicon、Synopsys等公司也正在推动22nm对应IP的开发。而业界的一个共识是基于28nm FD-SOI的经验,22nm IP的开发进度会更快。

接下来一个更重要的问题:谁在或谁会用FD-SOI工艺?

STMicroelectronics无疑是其中之一,而在本次论坛上Freescale也介绍了其采用28nm FD-SOI工艺推出的最新i.MX处理器系列,包括i.MX7和i.MX8。

本文下一页:对中国半导体行业,FD-SOI又意味着什么?


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