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三星推动新的3D闪存技术最快2016年量产

上网日期: 2015年08月12日 ?? 作者: Rick Merritt ?? 我来评论 字号:放大 | 缩小 分享到:sina weibo tencent weibo tencent weibo


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三星在一个闪存峰会上宣布要将SSD和系统设计设备上采用的 3D NAND闪存进入大规模应用。但是分析师和其它供应商表示,它要成为主流技术仍需一个甚至更长时间。

三星市场主管Jim Elliot在主题演讲中说,本月起三星将会开始制造一个3D Nand芯片,型号是850 EVO SSD,采用最新的48层、每单元3 bit共256Gbit的容量。这款新的芯片性能提升两倍,功耗则比目前的32层的芯片要降低50%以上,他说。

他还说,三星坚信将来可以生产出T bit级的芯片,通过采用100层以上的技术。在另一个不同的演讲中,SK Hynix的工程师说,该公司将在第三季度开始生产3D NAND芯片,采用超过30层的技术,但是在2019年前可以做到超过190层。

闪存芯片的密度在将来还有望持续改进,它的性能在提升,但成本会不断下降。然而,今天的3D NAND芯片的良率仍旧很低,成本比传统的平面闪存工艺要高,分析师说。

尽管三星是第一家宣布量产3D NAND,它的竞争对手已经在奋起直追。上周东芝宣布他会在9月发布 256 Gbit的3D NAND样片,每单元 3bit,48层技术。

分析师Mark Webb看着这个汇总表说,“3D NAND技术的发展来得实在是太快了。”《电子工程专辑》
分析师Mark Webb看着这个汇总表说,“3D NAND技术的发展来得实在是太快了。”

三星现在是亏本销售 V-NAND SSD芯片,但是多数供应商都表示在2017年来临之前 3D NAND的出货量不会快速增长,Objective Analysis的分析师 Jim Handy表示。MKW Ventures的分析师Mark K. Webb则认为,一旦48层技术进入到量产级,它将会成为第一个在成本上击败传统Flash的技术。

32层的3D芯片在晶圆成本上要比传统的高70%,但是48层技术增在层数上增加了50%,却只是将晶圆成本增长5-10%,Webb说。这颗芯片开始的良率是50%,但在一年后它将能达到平面Flash良率级别,他说。

Webb预测3D NAND在2018年甚至更晚之前都不会成为闪存的销量主流。“新技术要成熟总是要花好几年的时间,” SK Hynix的一位SSD市场资深经理 Jetming Woo说。

供应商们现在仍在试着去找到产品优化的最佳层数,Woo说。此外,他们必须要去开发新的控制器和固件类别来管理更大的容量和其他的3D芯片的特性,他补充说。

三星的内存方案实验室负责人 Bob Brennan对电子工程专辑美国版EETimes说,三星只会在SSD里销售3D NAND,部分是因为他们设计设计的控制器和固件有着独特的要求。除了有比在售芯片更高的利润率外,内部设计SSD是“最快捷的上市之路,”他说。

三星声称,在2013年首家宣布24层每单元 2 bit的3D NAND技术以来,公司已经生产了500万颗采用了三代3D 技术的SSD芯片。去年,该公司据说是已经跨越过了3D芯片的成本障碍,Brennan在主题演讲后的记者招待会上说,成本要比平面Flash更低了。

Elliot说,“所有我们宣称的新驱动力就是V-NAND, 850 EVO SSD是市场上最受欢迎的SSD。”

分析师Webb指出三星仍然在为低密度的产品生产平面NAND。三星拒绝透露 3D NAND的销售比例。

三星的PM1725是目前为数不多的采用3D NAND的SSD卡。《电子工程专辑》
三星的PM1725是目前为数不多的采用3D NAND的SSD卡。

为了推动3D NAND技术向前发展,三星宣布的以下多个新的SSD和基于这些设计的参考设计:

● PM1633a,15.36 TB,2.5寸SSD,号称世界上最密集的硬盘

● PM1725,3.2 TB,2.5寸SSD,可实现一百万次的I/O操作/秒

● 参考设计采用了768 TB 的 SAS固态硬盘的2U底架为基础

● 2U底架采用NVMe驱动器,可提供高达5百万次IOPs

三星还宣布了GLogic的采用100 Gbit以太网的参考设计,串行写入速度是 10 Gbits/秒,串行读取速度是16 Gbit/秒。此外,它说它还发布了建立全闪存CEPH节点的开源代码。

编译:Mike Zhang

本文授权编译自EE Times,版权所有,谢绝转载

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