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拆解揭密海力士高带宽内存封装

上网日期: 2015年08月11日 ?? 作者: Kevin Gibb, TechInsights产品经理 ?? 我来评论 字号:放大 | 缩小 分享到:sina weibo tencent weibo tencent weibo


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关键字:海力士HBM? 高带宽内存? 内存封装?

过去几个月来,TechInsights的拆解团队一直在寻找海力士(Hynix)的高带宽内存(HBM),最近终于取得了这款据称可克服DDR4/DDR5型SDRAM带宽限制的内存。

海力士的高带宽内存(HBM)很新,而且能够克服DDR4型SDRAM的带宽限制,甚至达到某种程度的DDR5型内存带宽。该技术堆栈了四个DRAM芯片以及一个逻辑芯片,一片一片地堆栈起来,并利用硅穿孔(TSV)与微凸块接合实现芯片至芯片间连接。

图1显示四个DRAM芯片与一个逻辑芯片堆栈并固定至中介层芯片。该中介层作为布线层,用于连接DRAM至处理器,并连接该处理器至下层封装基板。

图1:HBM模块横截面示意图《电子工程专辑》
图1:HBM模块横截面示意图
Source:AMD HBM资料、TechInsights

图2:采用TSV的三星DDR 4《电子工程专辑》
图2:采用TSV的三星DDR 4
Source:三星DDR4封装分析,TechInsights

为了追求更高性能,AMD寻求与海力士在其最新系列绘图卡方面的合作,其中一部包含GDDR5内存,其他系列则使用了海力士的高带宽内存。

图3标示Radeon的金属盒内包含采用海力士HBM的AMD Fury X GPU。右侧软管为GPU提供冷却液体至散热风扇,而金属盒中的软管部份连接至固定在GPU与HBM芯片侧面的热交换器单元。

图3:AMD Radeon Fury X《电子工程专辑》
图3:AMD Radeon Fury X
Source:TechInsights

本文下一页:更多高带宽内存(HBM)的秘密


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