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磁卡各种读不出?在RFID中嵌入FRAM解决性能限制

上网日期: 2015年07月20日 ?? 我来评论 字号:放大 | 缩小 分享到:sina weibo tencent weibo tencent weibo


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关键字:RFID? FRAM? 磁卡读取?

开车的朋友可能会有这样的经历,当您经过高速公里收费站时,您的交通收费卡在进站和出站时偶尔会无法读取,原因是您的交通卡使用的频率比较高,超过了它的读写次数。目前,这些交通卡大部分是采用内嵌EEPROM的RFID制作的,而如果将智能交通卡中的EEPROM换成FRAM,问题就迎刃而解了。

“采用FRAM 的RFID的读写次数可以达到1012,而采用EEPROM 的RFID的读写次数最多只有一百万次,这就是为何高速收费处偶尔会出现数据读不出的问题。”富士通半导体(上海)有限公司市场部高级经理蔡振宇指出:“在RFID中嵌入FRAM,能够打破传统采用EEPROM的RFID标签的一系列性能限制,解决很多应用难题。”

在RFID中嵌入FRAM,实现突破性优势

富士通半导体内嵌FRAM的RFID产品相比其单体FRAM产品是比较新的,而市场上常用的RFID产品嵌入的是EEPROM。与内嵌EEPROM的RFID产品相比,内嵌FRAM的RFID不只读写速度快很多,并且其抗辐射性比EEPROM高出不止一个数量级。下图1所示为FRAM RFID 和EEPROM RFID的性能对比。

图1. FRAM RFID vs EEPROM RFID。《电子工程专辑》
图1. FRAM RFID vs EEPROM RFID。

FRAM是一种非易失性存储器,使用铁电材料作为数据载体,结合了随机存储器(RAM)和只读存储器(ROM)的优势。作为用在RFID中的非易失性存储器, EEPROM已经得到广泛应用,但是当数据被写入时,EEPROM需要内部升压电压,因为数据存储的原则就是要看是否带有电子电荷,所以它的写入速度较慢慢(需要数毫秒),耐擦写次数也仅限于10万次左右。因此,大部分基于EEPROM的RFID都是小存储容量产品,只适合读,不适合写。

比较而言,FRAM RFID数据写入时间非常快。例如,以写入数据为例,采用EEPROM的RFID需要有6msec的时间来等待回应,而采用FRAM的RFID仅需要100usec。并且,FRAM在写和读方面的性能一样好,因为二者的原则一样。

FRAM的另一个主要特点,就是在防辐射方面明显优于EEPROM。例如,在医疗设备和包装、食品或者亚麻布的伽玛射线灭菌过程中,存在于 EEPROM中的数据会受到放射线的严重影响,因为它的数据存储采用的是电子电荷。而存在于FRAM中的数据在高放射水平下仍然不会受到影响。

本文下一页:在FRAM RFID中加入SPI串行接口,扩展应用领域


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