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3D NAND新战报:32层vs 48层

上网日期: 2015年03月31日 ?? 作者: 赵娟 ?? 我来评论 字号:放大 | 缩小 分享到:sina weibo tencent weibo tencent weibo


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关键字:3D NAND? 存储? 存储器?

3月底存储界巨头在3D NAND领域的战斗拉响,不甘示弱的扎堆推出本门派最高法力,为存储界这场激烈的竞争又添新花絮。

电荷捕获派代表:闪迪(SanDisk)近日宣布与Toshiba共同研发成功开发出48层第二代3D NAND闪存,亦称为BiCS2,可广泛地应用于各种解决方案中,范围涵盖可移动产品到企业级SSD。

产品计划于2015年下半年在位于日本四日市的合资工厂内投入试生产,于2016年进行规模化商业生产。

浮栅派代表:美光科技和英特尔发布了单枚芯片可实现最大384Gb存储容量、达到其他竞争对手三倍的3D NAND闪存,首次采用浮栅型单元,层积了32层。

美光和英特尔已从3月26日开始面向部分客户样品供货2bit/cell(MLC)的256Gb产品;基于3bit/cell(TLC)技术的384Gbit产品将在2015年春末开始样品供货。

疑问:据称英特尔/美光方案存储容量是三星的3倍,怎么不见三星出来迎战?上一次大的披露还是在年初的CES上高调秀其32层 128Gb 3D V-NAND,坐等三星。







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