电子工程专辑
UBM China

新兴的单芯片3D技术可望让芯片“重见光明”?

上网日期: 2015年02月17日 ?? 作者: Zvi Or-Bach ?? 我来评论 字号:放大 | 缩小 分享到:sina weibo tencent weibo tencent weibo


打开微信“扫一扫”,打开网页后点击屏幕右上角分享按钮

1.扫描左侧二维码
2.点击右上角的分享按钮
3.选择分享给朋友

关键字:3D IC? 单芯片3D技术?

虽然传统的制程微缩得以在芯片中填入更多的晶体管,却使得芯片永远处于更“黑暗”的状态,而新兴的单芯片3D技术可望让芯片得以“重见光明”。

“暗场硅晶”(dark silicon)指的是芯片中必须断电以避免过热的部分。在2014年的国际电子组件会议(IEDM)上,ARM的总工程师Greg Yeric指出,在20nm技术节点(包括16/14nm FinFET )时,暗硅的部分预计将占整个芯片面积的1/3,而到了5nm技术节点时还将增加到占80%的面积。

如今,制程微缩不再遵循Dennard's Law,在更薄栅极电介质时越来越难以避免漏电急剧增加,“因此,尽管几何尺寸持续微缩,阈值电压却未随之降低。”

(电子工程专辑)
不同技术节点的暗硅趋势

一旦考虑到芯片成本,这种黑暗的前景似乎更是雪上加霜。在最近的SEMI产业技术论(ISS),博通(Broadcom)总裁兼CEO Scott McGregor表示,呈指数上升成本将对产业带来变化:

(电子工程专辑)
每晶体管成本持续攀升

(电子工程专辑)
设计成本急剧增加

这为半导体产业描绘了一个非常黑暗的未来。为了开发使用更昂贵晶体管的设计,我们更需要指数级的投资。因此,Scott McGregor总结指出这个“半导体产业前进的重大变化”将是不可避免的。

下一页: 3D IC将“成为我们提供高能效解决方案的关键部分”


1???2?下一页?最后一页





我来评论 - 新兴的单芯片3D技术可望让芯片“重见光明”?
评论:
*? 您还能输入[0]字
分享到: 新浪微博 qq空间
验证码:
????????????????
?

关注电子工程专辑微信
扫描以下二维码或添加微信号“eet-china”

访问电子工程专辑手机网站
随时把握电子产业动态,请扫描以下二维码

?

5G网络在提供1Gbps至10Gbps吞吐量方面具有很好的前途, 并且功耗要求比今天的网络和手机都要低,同时还能为关键应用提供严格的延时性能。本期封面故事将会与您分享5G的关键技术发展,以及在4G网络上有怎样的进步。

?
?
有问题请反馈
推荐到论坛,赢取4积分X