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赛灵思新一代16纳米芯片技术初曝光

上网日期: 2015年02月26日 ?? 作者: 张迎辉 ?? 我来评论 字号:放大 | 缩小 分享到:sina weibo tencent weibo tencent weibo


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关键字:16纳米? FPGA? 3D IC?

赛灵思日前公布了采用新一代工艺的产品计划,将采用TSMC(台积电)的16纳米 FinFET+ 的FinFET 3D晶体管工艺。新工艺的芯片将于2015年第二季度首次流片,预计会在2015年第四季度开始首次发货。赛灵思公司全球高级副总裁、亚太区执行总裁汤立人(Vincent Tong)在深圳媒体见面会上公布了这一消息。

(电子工程专辑)

(图文)赛灵思公司全球高级副总裁、亚太区执行总裁汤立人表示赛灵思的16纳米技术“继续遥遥领先”。

汤立人认为,在4G/LET-A、早期的5G通信和8K4K视频、大型数据中心、汽车ADAS、软件定义网络以及工业物联网等应用上,将会于处理芯片的性能与功耗的可扩展性、集成集成与智能化、系统的安全、保密性和可靠性上提出更高的要求,需要更先进工艺的芯片来满足这些先进应用的需求。“2020年日本东京奥运会上将采用8K/4K分辨率电视转播,”他说。

汤立人介绍说,赛灵思公司的16纳米UltraScale+系列的FPGA、3D IC和MPSoC凭借新型“3D-on-3D”和多处理SoC(MPSoC)技术,加上全新的互联 SmartConnect技术,将大幅提升系统性能功耗比。“相比28纳米器件,它将提升系统性能功耗比达2至5倍,同时还有更高的系统集成度、智能化和最高级别的安全性。”

新的16纳米艺FF+器件包括了Kintex UltraScale+ FPGA和Vertex UltraScale+ FPGA以及3D IC系列。“考虑到不同客户的需求,用于通信市场的Kintex将会是最早流片的芯片,然后才是Virtext Zync。”赛灵思公司全球高级副总裁汤立人表示。目前赛灵思的Kintex UltraScale+ FPGA的目标应用是通信基站类应用。

第2页:新一代16纳米芯片取得四大技术的突破

第3页:赛灵思20纳米FPGA在1月宣布发货


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