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FRAM“多、快、省” 技术优势解决系列应用瓶颈

上网日期: 2015年02月06日 ?? 我来评论 字号:放大 | 缩小 分享到:sina weibo tencent weibo tencent weibo


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关键字:FRAM? 固态存储技术? 铁电存储器? 云存储?

在海量的固态存储技术已经非常广泛应用、云存储正在盛行的今天,还有一种KB、MB量级的存储技术大卖,并且在物联网医疗电子、消费电子、工业电子……几乎所有的行业中无处不在。这种存储技术就是铁电存储器FRAM)。在近日于深圳举办的易维讯年度中国ICT媒体论坛上,富士通半导体(上海)有限公司市场部经理蔡振宇分享了FRAM产品在应用中的独特技术特性优势,特别是FRAM RFID和认证FRAM方面众多的创新应用案例对电子产品的设计具有很好的创新启发,受到与会嘉宾的关注。

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图1. 富士通半导体(上海)有限公司市场部经理蔡振宇发表“FRAM为您系统创新而生”主题演讲。

DEMO演示FRAM 特性——“多、快、省”

拥有15年FRAM量产经验的富士通半导体,已经走在技术与市场的前列。而我们将从一个现场Demo演示开始,为您呈现FRAM的性能优势。如下图2所示,为富士通半导体的FRAM和EEPROM性能对比Demo演示图。

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图2. 富士通半导体FRAM和EEPROM性能对比Demo演示。

演示本身并不复杂,一个照相机实时拍一张照片,然后将照片分别存储到EEPROM和FRAM中,直观的比较图像数据写入过程中EEPROM和FRAM的性能差异。在此演示中,采用并口传输数据,FRAM大概用了0.19秒存储数据,而EEPROM大概用了6.23秒;FRAM存储数据的比特率约为808kB/s,而EEPROM存储数据的比特率约为24kB/s;功耗方面,FRAM约为0.4mWs,而EEPROM约为61.7mWs。FRAM的快速读写和超低功耗特性显而易见。

“‘多’、‘快’、‘省’可以形象的概括出FRAM的特点。‘多’指的是FRAM的高读写耐久性(1万亿次)的特点,可以频繁记录操作历史和系统状态;‘快’指的是FRAM的高速烧写(是EEPROM的40000倍)特性,这可以帮助系统设计者解决突然断电数据丢失的问题;‘省’指的是FRAM超低功耗(是EEPROM的1/1,000)特性,特别是写入时无需升压。” 蔡振宇指出。

FRAM除了和EEPROM相比具有明显优势外,其相比其他的存储器,如FLASH和SRAM,也在性能上更胜一筹,如下图3所示,为其性能比较。

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图3. FRAM与其它存储器的比较。

第2页:宽泛的FRAM产品线

第3页:技术优势解决系列应用瓶颈

第4页:创新的FRAM 认证芯片促进应用创新


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