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IR针对锂离子电池保护推出全新功率MOSFET

上网日期: 2014年12月04日 ?? 我来评论 字号:放大 | 缩小 分享到:sina weibo tencent weibo tencent weibo


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关键字:IR? 功率MOSFET? IRL6297SD?

全球功率半导体和管理方案领先供应商国际整流器公司 (International Rectifier,简称IR) 近日针对锂离子电池保护应用推出配备IR最新低压MOSFET硅技术的一系列器件,包括IRL6297SD双N通道DirectFET MOSFET。

全新功率MOSFET具有极低的导通电阻,可大幅减少导通损耗。产品可作为N通道及P通道配置的20V和30V器件,最高栅极驱动从12 Vgs起,非常适合包含了两个串联电池的电池保护电路。IRL6297SD在精密且能高效散热的小罐式DirectFET封装内提供两个采用共漏极配置的20V N通道MOSFET。


IR亚太区销售副总裁潘大伟表示:“IR拥有适合电池管理的广泛的MOSFET产品系列,提供行业标准封装以及适合精密设计的小罐式双DirectFET封装。新器件具有低导通电阻,可替代采用较大封装的MOSFET,从而节省电路板空间及系统成本。”

所有新产品均不含铅、溴和卤,符合第一级湿度敏感度标准 (MSL1) 及电子产品有害物质管制规定 (RoHS) 。

产品现正接受批量订单。

规格








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