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成本上升,芯片制造该何去何从?

上网日期: 2014年11月11日 ?? 作者: Rick Merritt ?? 我来评论 字号:放大 | 缩小 分享到:sina weibo tencent weibo tencent weibo


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关键字:绝缘硅? 单片3D集成? 亚阈值设计?

随着芯片制造成本的不断上升和复杂性的不断增加,使得今年成为了半导体产业合并和寻找替代性技术创记录的一年。工程师们在IEEE S3S会议上肯定听说了许多的合并传闻,包括绝缘硅、亚阈值电压设计、单片3D集成以及行业重组等。

今年到目前为止芯片公司已经完成了23笔收购交易,这要比过去两年的总和还多,摩根士丹利公司半导体投资银行全球负责人Mark Edelstone透露。他同时预测今年的全球并购交易总值很可能从174亿美元增加到近300亿美元。

“情况真的是破记录了。”他指出,并提到了至今较大的整合案例——英飞凌和国际整流器公司以及安华高和LSI公司。“这个趋势将继续,今后几年将是非常繁忙的并购时期。”

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图1:2014年发生的半导体并购交易量已经超过过去两年的总和。

较低的资本成本正在所有行业掀起并购浪潮,而制造芯片成本和复杂性的上升助推了半导体行业的并购。制造一个20nm芯片的成本需要5300万美元,制造28nm芯片的成本是3600万美元,到16/14nm节点时成本还将出现质的飞跃,Edelstone表示。

“在这样的投资规模下要想赚钱需要非常大的市场,这对半导体行业的发展将带来巨大的影响。到16/14 nm的FinFET时代,每个门的成本还将上升,这将显著地改变半导体行业现状——事实表明,规模决定成败。”

多位发言人一致认为单个晶体管的成本在整个行业中还在不断上升。不过Intel公司在今年9月份透露,其14nm FinFET工艺将支持更低的每晶体管成本。

14/16nm FinFET节点代表了今后发展的主流方向,但完全耗尽型和特薄绝缘硅工艺也有机会,GlobalFoundries公司产品经理Michael Medicino表示。

一些对成本敏感的移动芯片因为成本原因会避免采用14nm和10nm FinFET节点,而且时间可能长达4至6年。绝缘硅(SOI)提供了另外一种替代方案,它可以达到20nm块晶体管的性能,成本则接近28nm聚合物晶体管,不过他认为在市场压力下所有块晶体管成本还会进一步下降。

Mendicino预计绝缘硅替代技术在今后三年中可能占据10%的代工业务份额,不过他强调这只是猜测。“三年后再问我吧。”他不无俏皮地说。

第2页:联发科高性能处理器技术总监介绍亚阈值设计的例子

第3页:如何扩展目前正在最新闪存芯片中采用的单片3D设计种类


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