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Vishay新增P沟道TrenchFET功率MOSFET SiA453EDJ

上网日期: 2014年05月04日 ?? 我来评论 字号:放大 | 缩小 分享到:sina weibo tencent weibo tencent weibo


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关键字:Vishay? 功率MOSFET? SiA453EDJ?

日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出采用超小尺寸、热增强PowerPAK SC-70封装的新款-30V、12V VGS P沟道TrenchFET功率MOSFET——SiA453EDJ。该器件是2mm x 2mm占位面积的-30V器件,在-4.5V和-2.5V栅极驱动下具有业内最低的导通电阻,在便携电子产品里能够节省空间,并提高能源效率。

今天发布的Vishay Siliconix这款-30V VDS器件具有抵御过压尖峰所需的余量,其12V VGS使器件在-3.7V和-2.5V下具有更低的导通电阻,可用于超便携、电池供电的产品。MOSFET适用于智能手机、平板电脑、移动计算设备、非植入式便携医疗产品、硬盘驱动器,以及电动牙刷、刮胡刀,扫描仪和RFID读写机具等手持消费电子产品中的负载和输入过压保护开关、电池充电器、DC/DC转换器。对于这些应用,SiA453EDJ提供了18.5mΩ(-10V)、23.5mΩ(-4.5V)、26.0mΩ(-3.7V)和37.7mΩ(-2.5V)的极低导通电阻,内建ESD保护达到4000V。

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SiA453EDJ在4.5V下的导通电阻比最接近的-30V器件低36%,比使用12V VGS的最接近器件低50%。MOSFET在-2.5V下的导通电阻比仅次于这款器件的12V VGS器件低46%。这些业内最低的数值使设计者能在电路里实现更低的压降,更有效地使用电能,并延长电池使用寿命。而器件的小尺寸PowerPAK SC-70封装能节省非常重要的PCB空间。

MOSFET进行了100%的Rg和UIS测试,符合JEDEC JS709A的无卤素规定,符合RoHS指令2011/65/EU。







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