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不要过早展望 NAND闪存没那快被取代

上网日期: 2014年04月11日 ?? 作者: Jim Handy ?? 我来评论 字号:放大 | 缩小 分享到:sina weibo tencent weibo tencent weibo


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关键字:NAND闪存? 3D存储器? 3D NAND闪存?

Jim Handy;本文作者为Objective Analysis分析师暨研究总监

很少人会想到NAND闪存已经快要消失在地平线上、即将被某种新技术取代,笔者最近参加了一场IBM/Texas Memory Systems关于闪存储存系统的电话会议,听到不少储存系统专家试图把对话导引到IBM在下一代存储器技术的规划上,于是很惊讶地发现这些人居然都认为NAND闪存很快就会被新存储器技术取代。

笔者在去年7月的HotChips大会上曾经做过一场报告,指出闪存在未来十年将会是主流存储器技术;而现在该产业才刚进入SanDisk所说的“1Ynm”,接着还将迈入“1Znm”。SanDisk认为,在“1Znm”之后,平面存储器将式微,我们将进入3D存储器的时代;其他NAND闪存制造大厂也有类似的预测。

不过有鉴于这个产业的运作模式,在“1Znm”之后,若出现另一条延续平面存储器生命的新途径也不足为奇;因此如果以每个存储器世代两年生命周期来计算,平面闪存应该还能存活4~6年。在那之后,我们则将会拥有3D NAND闪存技术。

虽然三星(Samsung)在去年8月宣布开始量产3D结构的V-NAND闪存,但该产品的稀有性意味着它还没准备好取代平面存储器的地位;笔者猜测,3D存储器技术到2017年以前应该都还不会真正的大量生产。

今日大多数厂商都预期3D存储器在式微之前也会经历三代,因此同样以两年一个时代来计算,NAND闪存技术应该在4~6年之后,还会有另外一个6年的生命;所以在存储器产业真的需要新技术来驱动产品价格下降那时,应该已经是10~12年之后了。

我的意思并不是其他存储器技术有什么不对,只是目前尚未有足够的力量让它们的价格能比NAND闪存更低廉;而且在NAND闪存到达制程微缩极限之前,也没有其他的动能可以改变现在的状况。无论如何,要达到最低的成本、总是要有最大的产量,NAND闪存与DRAM目前就是比其他任何一种存储器技术更便宜的方案。

(遥望十年后,你认为哪一种存储器技术比较有机会先冒出头?欢迎讨论!)

翻译:Judith Cheng

本文授权翻译自EE TIMES,谢绝转载







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