电子工程专辑
UBM China

升特利用32nm SOI技术开发出ADC和DAC初级核

上网日期: 2014年03月25日 ?? 我来评论 字号:放大 | 缩小 分享到:sina weibo tencent weibo tencent weibo


打开微信“扫一扫”,打开网页后点击屏幕右上角分享按钮

1.扫描左侧二维码
2.点击右上角的分享按钮
3.选择分享给朋友

关键字:升特? 数据转换器核? SOI技术?

模拟和混合信号半导体领域的领先供应商升特公司日前宣布,其利用IBM的32nm SOI技术开发的64GSPS ADC和DAC初级核现已上市,可用于高性能片上系统(SoC)集成解决方案。此类器件可用于包括光通信、雷达和电子战系统在内的先进通信系统;基于低功耗、小面积区域的大瞬时带宽,此类超高速数据转换器可使操作过程更加灵活,实现并行多波段/多波束运行,并可提供极高的动态性能,使之成为高度过采样系统的理想选择。32nm数据转换器核是升特公司数据转换器核产品规划中的首个产品,该规划还包括用于14nm FinFET的数据转换器核系列产品,有望于2015年底上市。

升特公司首席系统架构师Craig Hornbuckle表示:“我们认为,利用IBM公司32nm SOI工艺及其独特功能集开发出的先进ADC和DAC核足以应对下一步高性能通信系统(如:400 Gb/s光系统和先进雷达系统)发展带来的挑战。同时,我们看到,现有射频通信市场中出现的扩展应用:高速数字逻辑电路正在替换那些传统的灵活性差的模拟电路。”


ADC核的面积为4 mm2,DAC核的面积为2.2 mm2。此类器件中包含一个宽调谐毫米波合成器,可

以使ADC核或DAC核调整每个通道的采样速率从42 GS/s 到68 GS/s,并保持45飞秒均方根抖动

值。一个完整的双通道2x64 GS/s ADC核每秒可产生1280亿次模数转换,总功耗为2.1瓦,而双通

道DAC核功耗为1.7瓦。此类器件可实现5.8有效位数,高达10 GHz及大于43 dB的SFDR。此外,此类器件具有必要的BIST 和校准功能,因此用户无需再进行复杂的生产测试或任务模式校准运算。







我来评论 - 升特利用32nm SOI技术开发出ADC和DAC初级核
评论:
*? 您还能输入[0]字
分享到: 新浪微博 qq空间
验证码:
????????????????
?

关注电子工程专辑微信
扫描以下二维码或添加微信号“eet-china”

访问电子工程专辑手机网站
随时把握电子产业动态,请扫描以下二维码

?

5G网络在提供1Gbps至10Gbps吞吐量方面具有很好的前途, 并且功耗要求比今天的网络和手机都要低,同时还能为关键应用提供严格的延时性能。本期封面故事将会与您分享5G的关键技术发展,以及在4G网络上有怎样的进步。

?
?
有问题请反馈
推荐到论坛,赢取4积分X