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ST发布首款TO-247封装的650V汽车级MOSFET

上网日期: 2013年08月15日 ?? 我来评论 字号:放大 | 缩小 分享到:sina weibo tencent weibo tencent weibo


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关键字:ST? MOSFET? STW78N65M5? STW62N65M5?

横跨多重电子应用领域、全球领先的半导体供应商意法半导体(STMicroelectronics,简称ST)推出业界首款采用深受市场欢迎的TO-247封装的650V AEC-Q101汽车级MOSFET——STW78N65M5和STW62N65M5。在高压脉冲环境中,650V额定电压能够为目标应用带来更高的安全系数,有助于提高汽车电源和控制模块的可靠性。这两款器件导通电阻 (RDS(ON)) 极低,分别为0.032Ω和0.049Ω,结合紧凑的TO-247封装,可提高系统能效和功率密度。

新产品的市场领先的性能归功于意法半导体的MDmesh V超结(super-junction)技术。此项技术可生产单位硅面积导通电阻RDS(ON)极低的高压器件,使芯片的封装尺寸变得更小。栅电荷(Qg)和输入电容也极低,因此,Qg x RDS(ON)品质因数 (FOM,figure of meric)极其出色,开关性能和能效异常优异。此外,优异的抗雪崩(avalanche)性能可确保器件在持续高压运行环境中提高耐用性。

MDmesh V整合意法半导体专有的垂直式工艺和经过市场检验的PowerMESH水平式架构,导通电阻较同级别的MDmesh II器件降低大约50%。

意法半导体的采用TO-247封装的650V汽车级MOSFET现已量产。







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