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美光16nm工艺样产128Gb NAND闪存 英特尔首获益?

上网日期: 2013年07月19日 ?? 我来评论 字号:放大 | 缩小 分享到:sina weibo tencent weibo tencent weibo


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关键字:NAND闪存? 16nm工艺? 闪存芯片?

目前MLC NAND闪存的制程已经过渡至20nm级别,不少SSD产品都已经采用了新制程的闪存。美光科技已经开始试产采用16nm工艺打造的128Gb MLC NAND闪存,这种制程工艺在闪存领域乃至已经试产的半导体产品中都是最先进的,堪称是里程碑。

(电子工程专辑)
16nm工艺128Gb MLC NAND闪存

据美光提供的消息称,目前试产的128Gb MLC NAND闪存主要用在消费级SSD、闪存盘、存储卡、平板电脑、智能手机、超薄移动设备以及云存储数据中心等地方。由于制程上的优势,新的闪存芯片体积更小,因此在同样面积的晶圆上可以生产出更多的成品,目前一块16nm工艺晶圆的总容量可达6TB。

下一页:同样容量的16nm工艺闪存在成本上要比20nm级别产品更低


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