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拆解SDRAM存储器 三星与SK海力士与众不同

上网日期: 2013年06月20日 ?? 作者: Jeongdong Choe ?? 我来评论 字号:放大 | 缩小 分享到:sina weibo tencent weibo tencent weibo


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关键字:DRAM存储器? SDRAM存储器单元?

Techinsights的拆解分析也发现,大多数埋入式字元线SDRAM元件,在阵列区(array region)都是采用三阱制程(triple well process);这种技术是在p型基板上,将一个p型阱(p-well)嵌入到n型阱(n-well)中。

不过美光/南亚的31纳米SDRAM单元阵列,则是采用“四阱(quadruple well)”制程,也就是在一个较深的p型阱上,将一个较浅的p型阱嵌入较深的n型阱,该较深的p型阱则是位于轻微掺杂(lightly doped)的块状n型基板内。

由该种6F2 存储器阵列单元的布局图来看,不同厂商元件的活性(active)/浅沟渠隔离(Shallow trench isolation,STI)形状、倾斜角度(slanted angle)与字元线沉积各自不同,如下图所示。

(电子工程专辑)
各家厂商6F2 存储器单元阵列布局图比较

第4页:三星与SK海力士活性区布局设计不同 美光/南亚直线式更好?


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