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Vishay扩展E系列650V N沟道功率MOSFET

上网日期: 2013年06月06日 ?? 我来评论 字号:放大 | 缩小 分享到:sina weibo tencent weibo tencent weibo


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关键字:Vishay? 功率MOSFET? 功率因数校正?

日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,其E系列器件新增650V功率MOSFET。这些22款新器件采用8种不同封装,将10V下的导通电阻扩展到30mΩ~600mΩ,将最高电流等级扩大为6A~105A。650V E系列MOSFET基于下一代Vishay Siliconix超级结技术,针对可再生能源、工业、照明、电信、消费和计算市场中对输入电压安全裕量有额外要求的应用,Vishay Siliconix拓展了器件的峰值性能指标。

此次推出的器件使E系列的器件总数达到26个。所有E系列器件都具有超低的导通电阻和栅极电荷,可实现极低的传导和开关损耗,可在功率因数校正、服务器和通信电源系统、焊接、不间断电源(UPS)、电池充电器、LED照明、半导体制造设备、适配器和太阳能逆变器等高功率、高性能开关电源中节省能源。


器件针对雪崩和通信模式中承受高能脉冲而设计,通过100%的UIS测试确保极限性能。MOSFET符合RoHS。

新款功率MOSFET现可提供样品,量产供货周期为十六周到十七周。







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