电子工程专辑
UBM China

HID灯镇流器的空间和成本节约解决方案

上网日期: 2013年06月06日 ?? 我来评论 字号:放大 | 缩小 分享到:sina weibo tencent weibo tencent weibo


打开微信“扫一扫”,打开网页后点击屏幕右上角分享按钮

1.扫描左侧二维码
2.点击右上角的分享按钮
3.选择分享给朋友

关键字:HID灯? 镇流器? MOSFET? IGBT?

最新MOSFET技术

MOSFET体二极管的反向恢复特性远次于分立式快速恢复二极管。 功率MOSFET的体二极管反向恢复时间非常长,且反向恢复电荷非常大。 尽管其性能比较差,功率MOSFET的体二极管还是经常在桥式电路中用作续流二极管。 正因为越来越多的应用将MOSFET体二极管用作系统关键元件,才促使MOSFET体二极管特性有了很大的改进。 通常来说,可以通过使用寿命控制过程来实现这个目的,这类似于分立式快速恢复二极管。 这一额外过程控制载流子的寿命,从而减少反向恢复电荷和反向恢复时间。 然而,该过程也带来某些缺陷。 更多的寿命控制导致MOSFET导通电阻增大。 这与导致正向压降增大的分立式快速恢复二极管的副作用类似。 另外一个负效应是漏源极间的漏电流增大,但漏电流水平仍在可接受范围内,并且在大多数情况下无关紧要。 因此,电气特性的主要权衡点在于反向恢复性能和导通损耗。 在HID灯镇流器混合频率逆变器应用中,较小的反向恢复电荷对于系统可靠性是非常重要的。 去除肖特基二极管(D1和D2)能够减少导通损耗,以补偿略有增加的MOSFET(Q1和Q2)导通电阻。 现在,重要的是Q1和Q2有了可以与分立式快速恢复二极管D2和D4不相上下的强壮体二极管性能。 为了实现更好的体二极管性能,开发了经高度优化的UniFET II MOSFET系列。 该系列改善了体二极管的耐受性并减少了输出电容中的储能,同时最大限度地减小如增加导通电阻等负面效应。 特别是,极大改善了其峰值反向恢复电流Irr,不再会引起器件故障。 此外,其dv/dt抗干扰性能是普通MOSFET的两倍多。 因此,在击穿dv/dt模式下可承受两倍以上的电流压力。图2展示了UniFET II MOSFET系列、传统MOSFT(FQPF9N50C) 和分立式快速恢复二极管(BYV28X-500)的反向恢复性能。 显然,UniFET II MOSFET系列的反向恢复特性优于传统MOSFET,甚至优于快速恢复二极管(FRD) 的反向恢复特性。

HID灯镇流器的空间和成本节约解决方案(电子工程专辑)
图2:反向恢复特性

镇流器的性能测试结果

为了验证UniFETTM II MOSFET系列的有效性,使用包括混合频率逆变器的150W室内HID灯镇流器进行实验。 镇流器的逆变器电路与图1相同。低频臂由2个IGBT组成,其工作频率范围为60Hz~120Hz。 另一个臂的工作频率范围为30kHz~110kHz。 采用普通MOSFET和FRD的传统解决方案与UniFET II MOSFET系列之间的击穿电流对比结果如图3所示。在传统解决方案中,反向恢复电流的峰值是11.44A。 而UniFET II MOSFET系列反向恢复电流的峰值是10.48A。

HID灯镇流器的空间和成本节约解决方案(电子工程专辑)
图3:瞬态下的穿通电流对比

结论

UniFET II MOSFET系列具有更佳反向恢复特性,如快速恢复时间和低反向恢复电荷。 因此,可去除混合频率逆变器系统中防止故障所需的4个额外二极管。 实验证明UniFET II MOSFET系列可提高混合频率逆变器的系统可靠性,由于去除了额外的二极管,因此可节省电路板空间和制造成本。


?第一页?上一页 1???2





我来评论 - HID灯镇流器的空间和成本节约解决方案
评论:
*? 您还能输入[0]字
分享到: 新浪微博 qq空间
验证码:
????????????????
?

关注电子工程专辑微信
扫描以下二维码或添加微信号“eet-china”

访问电子工程专辑手机网站
随时把握电子产业动态,请扫描以下二维码

?

5G网络在提供1Gbps至10Gbps吞吐量方面具有很好的前途, 并且功耗要求比今天的网络和手机都要低,同时还能为关键应用提供严格的延时性能。本期封面故事将会与您分享5G的关键技术发展,以及在4G网络上有怎样的进步。

?
?
有问题请反馈
推荐到论坛,赢取4积分X