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2D NAND闪存微缩瓶颈难突破 3D NAND开发受新材料所困

上网日期: 2013年05月31日 ?? 作者: Peter Clarke ?? 我来评论 字号:放大 | 缩小 分享到:sina weibo tencent weibo tencent weibo


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关键字:NAND闪存芯片? 非挥发性NAND闪存技术? 3D NAND?

由英特尔(Intel)与美光(Micron)合资的IM Flash Technologies表示,该公司正计划为其NAND闪存芯片导入3D制程,目前正为这一开发制程寻找合适的新材料;此外,该公司也预计其20nm的2D存储器单元可望再微缩一、两代。

在日前举行的IMEC技术论坛上,英特尔公司技术与制造副总裁兼IM Flash公司执行长Keyvan Esfarjani证实了IM Flash公司正为开发3D NAND寻找新材料,同时也透露了开发策略的部份想法。

目前整个业界都预期非挥发性NAND闪存技术将将从2D存储器阵列过渡至NAND晶体管整合单芯片。3D存储器预计将以垂直半导体通道的方式排列,以多层环绕式栅极(GAA)结构形成多电栅级存储器单元晶体管。

东芝公司(Toshiba)率先以其p-BiCS技术导入3D NAND制程。该公司在去年底宣布开发出基于50nm直径垂直通道的16层元件。该元件预计在今年出样,2015年量产。东芝的p-BiC技术采用U形排列晶体管。

但Esfarjani指出, 2D NAND闪存存在微缩瓶颈,预计还可再微缩两代──在15nm与10nm节点。而第一个3D NAND可能出现在15nm 2D制程节点。Esfarjani并强调,16层NAND闪存芯片将不再符合经济效益,“你需要64或至少32层的NAND闪存。”

(电子工程专辑)
2D NAND闪存预计还可再微缩两代──15nm与10nm节点。

下一页:目前所面临的挑战在于测量 3D NAND将跨越10nm的限制


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