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飞兆针对有源整流桥应用中的散热提供全新四路MOSFET

上网日期: 2013年05月03日 ?? 我来评论 字号:放大 | 缩小 分享到:sina weibo tencent weibo tencent weibo


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关键字:飞兆? MOSFET? FDMQ86530L?

高分辨率、紧凑有源整流桥应用(如网络摄像机)中的过热可能导致图像质量问题。 同样,热致噪声可能影响系统的图像传感器,也会降低相机的图片质量。 调节热波动的典型散热解决方案会增加元件数量,占用电路板空间,让这些设计变得更复杂。飞兆半导体的FDMQ86530L 60V四路MOSFET为设计人员提供了一体式封装,有助于克服这些严峻的设计挑战。

FDMQ86530L解决方案由四个60V N沟道组成,采用飞兆GreenBridge技术,改进了传导损耗和传统二极管整流桥的效率,将功耗降低了10倍。 该器件采用热增强、节省空间的4.5 x 5.0 mm MLP 12引脚封装,免去了散热需要,实现了紧凑设计,提高了12和24V AC应用中的功率转换效率。


FDMQ86530L产品是飞兆半导体全面的分立式MOSFET产品组合的一部分,再次体现了公司承诺:即提供最具创新的封装技术,以目前最先进的系统实现最小尺寸、最大热性能和最高效率。

规格:

●最大RDS(ON)= 17.5 mΩ(VGS= 10V,ID= 8A)

●最大RDS(ON)= 23 mΩ(VGS= 6V,ID= 7A)

●最大RDS(ON)= 25 mΩ(VGS= 4.5V,ID= 6.5A)

封装和报价信息(订购 1,000 个,美元)

按请求提供样品。交货期:收到订单后8-12周内

FDMQ86530L产品采用4.5 x 5.0mm MLP 12引脚封装,价格为 1.38美元。







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