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14纳米节点带来一系列设计挑战

上网日期: 2013年04月08日 ?? 作者: 罗克铃 ?? 我来评论 字号:放大 | 缩小 分享到:sina weibo tencent weibo tencent weibo


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关键字:14纳米芯片? 3DFinFET? FinFET架构?

FinFET的3D宽高比还包括诸如线边缘粗糙化和寄生电容等其它问题,并且还引入了全新问题。例如,FinFET器件只能有整数个的3D鳍,给设计师带来他们以前没遇到过的选择挑战,如要使用多少个鳍?

鳍海(The sea-of-fins)是种方案,它是在晶体管的整个表面上插布几十个鳍,并采用蚀刻步骤将其中许多鳍除去。然而,需要能反映新约束的新设计工具,以帮助工程师在多栅结构中,决策如何选择鳍的数量及其排布的间距。

3D需要多重图形(Multi-patterning)是平版印刷受到的新限制,为此,也需要新工具以支持兼容标准库的FinFET架构的协同设计。较高的RC延迟也给自动布线器在识别和优化不会缩微到14nm的线平面和过孔时带来显著压力。随着电流密度在 “热”线上的增加,新工具还需要缓解电迁移问题,以确保在14nm,芯片的寿命不会受到不利影响。

在先进节点的可制造性设计专会做报告的其他科学家有:东芝科学家茂树野岛详细介绍了光学多重图形问题;日本东京大学的科学家Rimon Ikeno介绍了先进工艺节点的电子束使用技巧;国立台湾大学的科学家林崇伟(Chung-Wei Lin)提出一种结构化的布线体系结构,它采用字符投影叠加来约束过孔布局和线迹交叠,以减少先进节点所需的布局样式。


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