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宏力半导体推出90纳米低漏电逻辑与混合信号平台

上网日期: 2013年03月20日 ?? 我来评论 字号:放大 | 缩小 分享到:sina weibo tencent weibo tencent weibo


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关键字:宏力? 90纳米平台? 低漏电逻辑?

上海宏力半导体制造有限公司(以下简称“宏力半导体”),专注于差异化技术的半导体制造领先企业,宣布推出8英寸90纳米低漏电逻辑与混合信号平台(以下简称“90纳米平台”)。

宏力半导体的90纳米平台为客户提供了更经济的8英寸工艺解决方案。该平台不仅在芯片栅密度上与业界普遍采用的12英寸90纳米工艺相近,还通过工艺优化的方式减少了掩模板层数,进一步降低了成本。与上一代0.13微米1.5伏低漏电技术相比,新推出的90纳米平台可在相同速度与低漏电的情况下,将逻辑电路尺寸缩小近50%;其后段制程延续了铝导线工艺,也有利于传统8英寸产品的迁徙换代。同时,该平台配备了高密度的标准单元库存储器IP库和输入输出接口单元库,其中CUP (Circuit Under Pad)输入输出接口单元库的性能面积比达到业内同类技术先进水平。宏力半导体的90纳米平台及其配套IP库可帮助客户进一步缩小芯片面积、优化低功耗设计,为其提供更经济的解决方案。

企业发展暨战略单位副总经理傅城博士表示:“90纳米是目前宏力半导体最先进的工艺节点。该低漏电平台可打造广泛适用于以USB存储控制器、嵌入式多媒体记忆卡等多种新兴应用为代表的计算机与周边、消费类电子产品以及工业产品。而且,我们的90纳米工艺实现了业界同类技术中最少的掩模板层数,可为客户产品上市抢得先机。”







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