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Vishay新推100V N沟道TrenchFET功率MOSFET

上网日期: 2013年01月10日 ?? 我来评论 字号:放大 | 缩小 分享到:sina weibo tencent weibo tencent weibo


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关键字:Vishay? 功率MOSFET? SiB456DK? SiA416DJ?

日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出新款100V N沟道TrenchFET功率MOSFET——SiB456DK和SiA416DJ,将Vishay的ThunderFET应用到更小的封装尺寸上。SiB456DK和SiA416DJ是业内首次采用这种小尺寸、热增强型PowerPAK SC-75 1.6mm x 1.6mm和PowerPAK SC-70 2mm x 2mm占位面积的100V N沟道器件,导通电阻分别小于200mΩ和100mΩ。

此次推出的MOSFET适用于升压转换器、低功率DC/AC逆变器,以及电信砖式电源、负载点应用和便携式设备中的LED照明等小型DC/DC转换器的初级侧开关。对于设计者来说,器件的超小PowerPAK SC-75和PowerPAK SC-70封装可在这些应用中节省PCB空间,其低导通电阻可实现更低的导通电阻,从而降低能源消耗,提高效率。另外,MOSFET可在4.5V下导通,简化了栅极驱动。


在导通电阻比尺寸更重要的应用中,2mm x 2mm的SiA416DJ在10V、4.5V下的最大导通电阻为83mΩ和130mΩ,导通电阻与栅极电荷乘积在10V和4.5V下分别为540mΩ-nC和455mΩ-nC,该参数是DC/DC转换器应用中评价MOSFET的优值系数(FOM)。对于尺寸大小更重要的应用,1.6mm x 1.6mm的SiB456DK在10V、4.5V下的最大导通电阻为185mΩ和310 mΩ,在10V、4.5V下的FOM为611mΩ-nC和558mΩ-nC。

SiB456DK和SiA416DJ进行了100%的Rg和UIS测试。这些MOSFET符合JEDEC JS709A的无卤素规定,符合RoHS指令2011/65/EU。

新款MOSFET现可提供样品,并已实现量产,大宗订货的供货周期为十二周到十四周。







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