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Vishay发布新款车用TrenchFET功率MOSFET

上网日期: 2012年12月11日 ?? 我来评论 字号:放大 | 缩小 分享到:sina weibo tencent weibo tencent weibo


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关键字:Vishay? 功率MOSFET? SQM200N04-1m1L?

日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出新款通过AEC-Q101认证的40V N沟道TrenchFET功率MOSFET——SQM200N04-1m1L。该器件特别针对“重型”汽车应用,是Vishay采用兼具低电阻和高电流等级的7脚D2PAK封装的首款功率MOSFET。

通过高密度TrenchFET技术,器件在10V和4.5V下实现了1.1mΩ和1.3mΩ的超低最大导通电阻,将传导损耗最小化,并能在更低的温度下工作。此外,器件的连续漏极电流达200A,帮助工程师设计出更具鲁棒性的产品,为关键的安全应用提供额外的安全余量。


今天发布的SQM200N04-1m1L适用于电动转向助力等高功率车用电机驱动应用。器件采用了专门设计,在生产过程中进行了100%的测试,可承受100A和500mJ的单个雪崩脉冲。器件具有0.4℃/W的低热阻(结至外壳),工作温度范围-55℃~+175℃。

SQM200N04-1m1L符合RoHS,通过100%的Rg和UIS测试。器件丰富和扩展了通过AEC-Q101认证的Vishay TrenchFET功率MOSFET系列。

新款车用功率MOSFET现可提供样品,并已实现量产,大宗订货的供货周期为十四周到十六周。







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