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英飞凌新品提升太阳能逆变器性能

上网日期: 2012年06月25日 ?? 我来评论 字号:放大 | 缩小 分享到:sina weibo tencent weibo tencent weibo


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关键字:英飞凌? SiC? 电源管理?

在“2012年欧洲电力电子、智能运动、电能品质国际研讨会与展览会”上,英飞凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)推出新的CoolSiCTM 1200V SiC JFET 系列,该产品系列增强了英飞凌在SiC(碳化硅)产品市场的领先地位。这个革命性的新产品系列,立足于英飞凌在SiC技术开发以及高质量、大批量生产方面十多年的丰富经验。

英飞凌科技股份公司高压功率转换产品部负责人Jan-Willem Reynaerts指出:“英飞凌已针对需要高效电源管理的市场推出了多项突破性技术。CoolSiCTM 也是一种革命性的创新技术,可将太阳能逆变器的性能提升至新的水平。凭借新型SiC JFET技术,我们可以帮助客户开发出更好的气候保护解决方案。”


与IGBT相比,新型 CoolSiCTM 1200V SiC JFET大幅度降低了开关损耗,在不牺牲系统总体效率的情况下,可以支持更高的开关频率。这为使用更小的无源元件创造了条件,其结果是缩小客户设计的产品的尺寸,降低其重量,并压缩系统成本。换言之,设计人员可在不增加太阳能逆变器体积的情况下,实现更高的输出功率。

为了确保常通型JFET技术的安全性和易用性,英飞凌开发出一种被称为直驱技术的概念。在这一概念中,JFET与外部低压MOSFET和专用的驱动芯片组合在一起,确保了安全的系统启动,以及快速可控的开关。

CoolSiCTM JFET集成了一个体二极管,其开关性能可媲美外置SiC肖特基势垒二极管。这种组合最大限度提高了器件的效率、可靠性、安全性和易用性。

供货和定价

CoolSiCTM JFET产品和驱动芯片的首批样品于2012年第二季度供货。OEM量产预计将于2013年上半年开始。IJW120R100T1 (100mOhm)的定价为每件24.90美元( 18.44)(起订量为1,000件)。







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