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Vishay发布四款TrenchFET MOSFET

上网日期: 2012年05月11日 ?? 我来评论 字号:放大 | 缩小 分享到:sina weibo tencent weibo tencent weibo


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关键字:Vishay? 功率MOSFET? 开关电源?

日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出其新一代TrenchFET Gen IV系列30V n沟道功率MOSFET器件——SiRA00DP、SiRA02DP、SiRA04DP和SiSA04DN。这四款器件皆采用了新型高密度设计,在4.5V下导通电阻低至1.35mΩ,Miller电荷Qgd低至1.8nC,采用PowerPAK SO-8和1212-8封装。

新款Vishay Siliconix TrenchFET IV在硅设计、晶圆加工和器件封装上采用了多项技术改进措施,为功率电子系统设计者提供了诸多好处。与前一代器件相比,SiRA00DP的导通电阻与面积乘积减小了60%,在10V电压下实现了1.0mΩ的极低RDS(on),4.5V下1.35mΩ的导通电阻达到业内最佳水准。对于设计者而言,MOSFET的低导通电阻可以实现更低的传导损耗,减少功率损耗,达到更高的效率。

TrenchFET Gen IV MOSFET采用了一种新型结构,这种结构实现了非常高密度的设计,而没有明显增加栅极电荷,克服了经常在高晶格数量器件上出现的这个问题。今天发布的MOSFET的总栅极电荷较低,使得SiRA04DP在4.5V下导通电阻与栅极电荷乘积优值系数(FOM)降至56nC-Ω。


SiRA00DP、SiRA02DP和SiRA04DP可提高系统效率,降低温度,采用6.15mm x 5.15mm PowerPAK SO-8封装,SiSA04DN的效率与之相近,3.30mm x 3.30mm PowerPAK 1212-8封装的面积只有前三款器件的1/3。今天发布的所有器件的Qgd/Qgs比值仅有0.5或更低。更低的比值可以降低栅极感应电压,有助于防止击穿的发生。

SiRA00DP、SiRA02DP、SiRA04DP和SiSA04DN适用于高功率密度DC/DC转换器、同步整流、同步降压转换器和OR-ing应用。典型终端产品包括开关电源、电压调节模块(VRM)、POL、通信砖式电源、PC和服务器。

TrenchFET Gen IV经过了100%的Rg和UIS测试。这些器件符合IEC 61249-2-21的无卤素规定和RoHS指令。

Vishay Siliconix是业内首家引入Trench MOSFET的供应商。该公司的TrenchFET知识产权包括大量专利,以及可追溯到20世纪80年代早期的基础技术专利。每一代新的TrenchFET技术生产出来的产品都将各种计算、通信、消费电子和其他应用中功率MOSFET的性能指标提高了相当可观的数值。

器件规格表:


TrenchFET Gen IV MOSFET现可提供样品,在2012年1季度实现量产,大宗订货的供货周期为十二周。







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