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Vishay两款新p沟道30V 功率MOSFET再立行业新基准

上网日期: 2012年02月21日 ?? 我来评论 字号:放大 | 缩小 分享到:sina weibo tencent weibo tencent weibo


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关键字:Vishay? 功率MOSFET? Si8487DB? Si8497DB?

Vishay Intertechnology, Inc.日前宣布,引入两款在尺寸和导通电阻上设立了新的行业基准的p沟道30V器件——Si8497DB和Si8487DB,扩充其MICRO FOOT TrenchFET Gen III功率MOSFET家族。新的Si8497DB是业内首款采用小巧的1mm x 1.5mm外形尺寸的30V芯片级MOSFET,是目前市场上尺寸最小的此类器件;而Si8487DB在1.6mm x 1.6mm外形尺寸的30V芯片级器件中具有最低的导通电阻。

Vishay的TrenchFET Gen III p沟道MOSFET使用了先进的加工工艺,在每平方英寸的硅片内装入了10亿个晶体管单元。这种最前沿的技术实现了超精细、亚微米的节距工艺,把目前业内最好的p沟道MOSFET所能达到的导通电阻降低了近一半。芯片级的MICRO FOOT技术不但能节省空间,实现更小、更薄的终端产品,而且能够在给定的外形内使用更大的硅片。

Si8497DB和Si8487DB可在智能手机、平板电脑、销售点(POS)设备和移动计算等手持设备中用于负载、电池和充电器的切换。在笔记本电脑的电池管理电路中,MOSFET的低导通电阻能够在负载开关上实现更低的电压降,从而减少欠压锁定问题的发生。在平板电脑、智能手机和销售点设备的充电器中,低导通电阻意味着可以使用更大的充电电流,使电池充电的速度更快。


对于设计者,Si8487DB和Si8497DB为他们提供了满足其特定应用需求的外形尺寸和导通电阻。对于小占用空间能够带来产品增值的场合,1.5mm x 1mm的Si8497DB同时具有0.59mm的最大高度,以及4.5V、2.5V和2.0V下53mΩ、71mΩ和120mΩ的低导通电阻。对于低导通电阻是重要考虑因素的应用,Si8487DB能在10V、4.5V和2.5V下提供31mΩ、35mΩ和45mΩ的低导通电阻,0.6mm的最大高度,以及此类p沟道功率MOSFET中最低的导通电阻值。

器件符合IEC 61249-2-21的无卤素规定,符合RoHS指令2002/95/EC。Si8487DB与Vishay的30V Si8409DB保持引脚兼容。

新的Si8487DB和Si8497DB TrenchFET功率MOSFET现可提供样品,并已实现量产,大宗订货的供货周期为十二周。







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