电子工程专辑
UBM China

TI发布高灵活低侧栅极驱动器LM5114

上网日期: 2012年02月14日 ?? 我来评论 字号:放大 | 缩小 分享到:sina weibo tencent weibo tencent weibo


打开微信“扫一扫”,打开网页后点击屏幕右上角分享按钮

1.扫描左侧二维码
2.点击右上角的分享按钮
3.选择分享给朋友

关键字:德州仪器? 栅极驱动器? GaN FET 驱动器?

日前,德州仪器 (TI) 宣布推出用于配合高密度电源转换器中 MOSFET 与氮化镓 (GaN) 功率场效应晶体管 (FET) 使用的低侧栅极驱动器LM5114 可驱动同步整流器与功率因数转换器等低侧应用中的 GaN FET 与 MOSFET。该系列加上 2011 年推出的业界首款 100 V 半桥 GaN FET 驱动器 LM5113,可为高性能电信、网络以及数据中心应用中使用的大功率 GaN FET 与 MOSFET 提供完整的隔离式 DC/DC 转换驱动器解决方案。

LM5114 可通过 5 V 电源电压的独立源极与汲极输出(sink and source output)驱动标准 MOSFET 与 GaN FET。它具有使用较大或并行 FET 的大功率应用中所需的 7.6 A 高峰值关断电流功能。此外,提高的下拉强度还有助于该器件驱动 GaN FET。独立源极与汲极输出可取消驱动器路径中的二极管,准确控制升降时间。


LM5114 低侧栅极驱动器的主要特性与优势:

可优化升降时间的独立源极与汲极输出支持更高的效率;

+4 V 至 +12.6 V 单电源支持各种应用;

0.23 欧姆的开漏下拉汲极输出可避免无意接通;

7.6 A/1.3 A 峰值汲极/源极驱动器电流可最大限度减少电压突变(DV/DT)的影响;

匹配反相及非反相输入之间的延迟时间,可降低停滞时间损耗;

12 ns 典型传播延迟可在提高效率的同时,支持高开关频率;

高达 14 V 的逻辑输入(不受 VCC 影响);

-40 摄氏度至 +125 摄氏度的宽泛工作温度。

供货情况与封装

LM5114 现已开始批量供货,可通过 TI 及其授权分销商进行订购。该器件采用 6 引脚 SOT-23 封装或裸焊盘 6 引脚 LLP 封装。







我来评论 - TI发布高灵活低侧栅极驱动器LM5114
评论:
*? 您还能输入[0]字
分享到: 新浪微博 qq空间
验证码:
????????????????
?

关注电子工程专辑微信
扫描以下二维码或添加微信号“eet-china”

访问电子工程专辑手机网站
随时把握电子产业动态,请扫描以下二维码

?

5G网络在提供1Gbps至10Gbps吞吐量方面具有很好的前途, 并且功耗要求比今天的网络和手机都要低,同时还能为关键应用提供严格的延时性能。本期封面故事将会与您分享5G的关键技术发展,以及在4G网络上有怎样的进步。

?
?
有问题请反馈
推荐到论坛,赢取4积分X