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Diodes发布最新MOSFET控制器,可取代肖特基二极管

上网日期: 2012年01月12日 ?? 我来评论 字号:放大 | 缩小 分享到:sina weibo tencent weibo tencent weibo


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关键字:Diodes? MOSFET控制器? ZXGD3104N8?

Diodes公司推出同步MOSFET控制器ZXGD3104N8,其额定电压为25V,适用于90W及以上的笔记本和便携式电脑的电源设计。这款新品能取代返驰式转换器内效率较低的肖特基二极管,并通过减少多达70%的整流器损耗,有效提升最高达3.5%的电源效率。因此,该器件有助电源供应系统更容易达到能源之星V2.0所规定的电源平均效率需达到87%的评级要求。

这款采用SO8封装的MOSFET控制器操作电压范围宽广,介于5V至25V之间,可由适配器的19V供电轨直接供电,并且在瞬态过压状态下,保证器件正常工作。该器件拥有180V的 MOSFET漏极感应功能,有助设计师减少对外部箝位电路的需求,并能大幅减少配件数量和节省空间。


ZXGD3104N8的比例式闸极驱动操作能在漏极电流衰减时,避免MOSFET过早关闭,从而提高了电路效率,并把本体二极管的传导损耗减至最低。另外,该控制器的短暂关闭传播延迟通常为15ns,有助把电源电路的效率提升至最大水平。







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