电子工程专辑
UBM China

IR超高速IGBT可显著降低开关及传导损耗

上网日期: 2011年09月07日 ?? 我来评论 字号:放大 | 缩小 分享到:sina weibo tencent weibo tencent weibo


打开微信“扫一扫”,打开网页后点击屏幕右上角分享按钮

1.扫描左侧二维码
2.点击右上角的分享按钮
3.选择分享给朋友

关键字:整流器? UPS? 太阳能?

全球功率半导体和管理方案领导厂商国际整流器公司 (International Rectifier,简称IR) 近日推出针对感应加热、不间断电源(UPS太阳能和焊接应用而设计的可靠、高效 1200V绝缘栅双极晶体管(IGBT)系列。

全新超高速 1200V IGBT 系列采用纤薄晶圆场截止沟道技术,可显著降低开关及传导损耗,从而在较高频率下提升功率密度和效率。这些器件不仅为无需短路功能的应用进行了优化,如不间断电源、太阳能逆变器、焊接等应用,而且为电机驱动应用提供10微秒短路功能,与其它IR产品相辅相成。

IR 亚太区销售副总裁潘大伟表示:“IR全新超高速1200V沟道IGBT系列具备多种性能优势,有助于提升系统的效率;同时通过降低开关的损耗及提高开关频率,减少散热器的尺寸与磁元件的数量,从而降低整体系统的成本。”

新系列包括电流介于 20A 和50A 之间的封装器件,以及高达 150A 电流的裸片产品。其主要优势包括宽方形反向偏压安全操作区(RBSOA)、正VCE(on)温度系数,以及用来降低功率耗散和提升功率密度的低VCE(on)。此外,新器件还可内置/不内置一个超高速软恢复二极管。裸片更配备焊前金属(SFM),以提高热性能、可靠性及效率。

产品规格

新器件现正接受批量订单。如需数据资料及IGBT产品选型工具,请浏览 IR的网站 www.irf.com。通过 http://mypower.irf.com/IGBT/ 可直接获取产品选型工具。







我来评论 - IR超高速IGBT可显著降低开关及传导损耗
评论:
*? 您还能输入[0]字
分享到: 新浪微博 qq空间
验证码:
????????????????
?

关注电子工程专辑微信
扫描以下二维码或添加微信号“eet-china”

访问电子工程专辑手机网站
随时把握电子产业动态,请扫描以下二维码

?

5G网络在提供1Gbps至10Gbps吞吐量方面具有很好的前途, 并且功耗要求比今天的网络和手机都要低,同时还能为关键应用提供严格的延时性能。本期封面故事将会与您分享5G的关键技术发展,以及在4G网络上有怎样的进步。

?
?
有问题请反馈
推荐到论坛,赢取4积分X