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IR推出PQFN封装新系列功率MOSFETs

上网日期: 2011年07月21日 ?? 我来评论 字号:放大 | 缩小 分享到:sina weibo tencent weibo tencent weibo


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关键字:功率MOSFET? 低压硅技术? 智能手机?

全球功率半导体和管理方案领导厂商国际整流器公司(International Rectifier,简称IR)扩展其PQFN封装系列,推出PQFN 2mm x 2mm和PQFN 3.3mm x 3.3mm封装。新型封装集成了两个采用IR最新硅技术的HEXFET MOSFET,为低功率应用提供高密度、低成本的解决方案,这些应用包括智能手机、平板电脑、摄像机、数码相机、直流电动机、无线感应充电器、笔记本电脑、服务器、网通设备等。

新款PQFN2x2和PQFN3.3x3.3双器件在每一个封装上都配备了一对功率MOSFET, 提供共汲极和半桥拓扑的灵活性。这些器件利用IR最新的低压硅技术 (N和P) 来实现超低损耗。例如,IRLHS6276在只有4mm2的范围内,配备了两个典型导通电阻(RDS(on))均为33mΩ的MOSFET。


IR亚太区销售副总裁潘大伟表示:“新型PQFN双器件适用于开关和直流应用,为客户提供高密度、低成本的解决方案。如今,IR新增了这些封装,能够提供一系列低压PQFN产品,包括N通道和P通道器件,20V和30V器件,最小驱动能力达到4.5V或2.5V的器件,以及单器件或双器件,它们都拥有极低的导通电阻。”

这个双PQFN系列包括专为高侧负荷开关优化的P通道器件,可提供更为简便的驱动解决方案。这些器件的封装厚度不到1 mm,与现有的表面贴装技术相兼容,并且拥有符合行业标准的占位空间,也符合电子产品有害物质管制规定(RoHS) 。

产品规格








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