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台积电先推TSV 3D芯片可击败英特尔FinFET?

上网日期: 2011年07月08日 ?? 我来评论 字号:放大 | 缩小 分享到:sina weibo tencent weibo tencent weibo


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关键字:3D芯片? TSV? FinFET?

根据台湾对外贸易发展协会(TAITRA)日前所发布的一份报告,芯片代工巨擘台积电(TSMC)公司可望在2011年底前推出首款具3D互连的半导体产品,因而可能和已经宣布即将推出首款3D芯片的英特尔形成潜在的竞争关系。

TAITRA发表的这份报告中引用一项匿名的消息来源指出,台积电预计推出3D芯片的时间点刚好与全球最大芯片制造商──英特尔的3D产品时间表不谋而合。英特尔公司在今年五月时曾大张旗鼓地宣布将在今年年底前开始大量生产采用三栅极晶体管的3D芯片(参阅电子工程专辑报道:图解英特尔提前量产3D晶体管,进入22nm时代)。

虽然TAITRA的报告可能使台积电与英特尔处于竞相推出首款3D芯片的竞争地位,但事实上这两种3D技术是相当不同的。台积电和其他厂商为此3D互连芯片开发相关技术已经有很长一段时间了。他们采用一种“硅过孔”(TSV)技术,在相同的封装中直接穿过封装芯片垂直连接不同的晶片层。而英特尔的三闸技术事实上是一种3D晶体管,即所谓的“鳍场效应晶体管”(FinFET)──以其硅晶通道就像是从半导体基板突出的一种鳍状设计。

根据TAITRA的分析报告,台积电的这种3D技术可为单一芯片增加1,000倍的晶体管密度,预计能让3D设备耗用更少50%的能源。此外,根据这份报告,这种新3D技术还能够解决一些以往传统“平面”晶体管所带来的难题──电子只能进行2D的迁移或移动。

台积电先推3D互连产品可打败英特尔FinFET?(电子工程专辑)
基于硅过孔技术的3D芯片堆叠结构

这份报告中也引述了台积电资深研发副总裁蒋尚义的话:台积电一直与芯片封装厂、自动化软件设计供应商们密切合作,以实现商用化的3D芯片技术。

下一页:两种3D技术对比


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