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MIT制作石墨烯FET可在1.4GHz时倍频运行

上网日期: 2010年12月14日 ?? 我来评论 字号:放大 | 缩小 分享到:sina weibo tencent weibo tencent weibo


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关键字:FET? 石墨烯? 1.4GHz?

美国麻省理工学院(MIT)制作出沟道上使用单层石墨烯的FET,并确认了其可在1.4GHz时倍频运行。而此前只限于在40MHz以下工作。不使用滤波电路,而是以单个晶体管就证实了GHz频带下的倍频运行的成果是首次获得。目标是应用于面向无线通信系统的混合信号电路等。

MIT制作石墨烯FET可在1.4GHz时倍频运行(电子工程专辑)
倍频运行

MIT制作出的石墨烯FET在施加700MHz的交流电压时,会产生1.4GHz的交流输出。1.4GHz输出占全部输出的比例高达90%,输出的大半都有助于倍频运行。因此,易于在高频率的混合信号电路中使用。

石墨烯膜的形成,采用了以CVD法在铜箔上生成单层石墨烯,再经由树脂基板将其转印到到基板上的方法。栅极绝缘膜为15nm厚的Al2O3,栅长为1.6μm。

MIT制作石墨烯FET可在1.4GHz时倍频运行(电子工程专辑)
MIT制作的石墨烯FET的结构

MIT在此次演讲中,公布了使石墨烯FET在THz频率下运行的指针。据该研究小组推算,当栅长缩短至40nm,触点部分的电阻值减小至250Ω·μm,同时如果能实现2000~3000cm2/Vs的载流子迁移率,就有望实现1THz的倍频运行。因此,获得这种特性是“十分有可能的”(MIT的演讲者)。







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