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恩智浦发布Power-SO8 MOSFET

上网日期: 2010年12月08日 ?? 我来评论 字号:放大 | 缩小 分享到:sina weibo tencent weibo tencent weibo


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关键字:Power-SO8? PSMN1R0-30YLC? 隔离电源?

恩智浦半导体NXP Semiconductors N.V.日前发布了NextPower系列首款30V Power-SO8 MOSFET,拥有业界最低RDSon,4.5V时仅为1.4mΩ。全新的MOSFET器件PSMN1R0-30YLC,专门针对4.5V开关应用优化,采用LFPAK封装技术,是目前业界最牢固的Power-SO8封装。NextPower技术已专门针对高性能DC/DC转换应用进行了优化,例如隔离电源和电源OR-ing中的同步降压调节器、同步整流器。

技术要点:

·特性和优势:

针对4.5V栅极驱动的低RDSon而专门优化的先进NextPower技术

Power-SO8封装确保高可靠性,温度最高可达175℃

超低QG、QGD和QOSS确保了高系统效率

·PSMN1R0-30YLC现已开始供货。

·PSMN1R0-30YLC是25V和30V NextPower LFPAK系列MOSFET的首款产品,全系列产品将在未来几个月中陆续推出。

积极评论:

·恩智浦半导体Power MOSFET营销经理Charles Limonard表示:“恩智浦NextPower系列MOSFET将帮助设计者实现高性能(高效率)、小尺寸和低成本。恩智浦致力于开发和创新,并不断改善导通电阻RDSon、开关速度和热效率等关键参数,从而推出具有业界领先水平的MOSFET器件。”

·Limonard还表示,“PSMN1R0-30YLC具有领先于同类器件的超低RDSon,可显著降低功耗;这反过来能提高新一代电子产品的能效,使能效等级更高,尺寸更小”。







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